一种沟槽型功率半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910220539.0

申请日：

2019-03-22

公开(公告)号：

CN111725306A

公开(公告)日：

2020-09-29

发明(设计)人：

单建安冯浩

申请人：

申请人地址：

528437 广东省中山市火炬开发区会展东路16号数码大厦1606号房

IPC主分类号：

H01L29739

IPC分类号：

H01L29423 H01L21331

代理机构：

深圳市千纳专利代理有限公司 44218

代理人：

袁燕清

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20190322
2022-12-06	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/739 登记生效日:20221124 变更事项:申请人变更前权利人:中山汉臣电子科技有限公司变更后权利人:安建科技（深圳）有限公司变更事项:地址变更前权利人:528437 广东省中山市火炬开发区会展东路16号数码大厦1606号房变更后权利人:518000 广东省深圳市宝安区新安街道海滨社区N26区宝兴路21号万骏经贸大厦1108
2020-09-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种沟槽型功率半导体器件及其制造方法 [P].

乔明 ;

林峙宇 ;

方冬 ;

张波 .

中国专利 :CN115050811A ,2022-09-13

[2]

沟槽型功率半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN113314589A ,2021-08-27

[3]

沟槽型半导体器件及其制造方法 [P].

杨涛涛 ;

邱凯兵 .

中国专利 :CN114649410A ,2022-06-21

[4]

沟槽型功率半导体器件及其制备方法 [P].

单建安 ;

梁嘉进 ;

伍震威 .

中国专利 :CN111312824A ,2020-06-19

[5]

一种沟槽型半导体器件及其制造方法 [P].

杨涛涛 ;

吴海平 .

中国专利 :CN114122122A ,2022-03-01

[6]

一种制造沟槽型半导体功率器件的方法 [P].

苏冠创 .

中国专利 :CN103187292B ,2013-07-03

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110098175B ,2019-08-06

[8]

耗尽型功率半导体器件及其制造方法 [P].

叶俊 ;

张邵华 ;

李敏 .

中国专利 :CN102751332B ,2012-10-24

[9]

沟槽功率半导体器件及制造方法 [P].

朱袁正 ;

廖周林 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN112420845A ,2021-02-26

[10]

沟槽功率半导体器件及制造方法 [P].

朱袁正 ;

廖周林 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN112420845B ,2024-09-06

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