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沟槽功率半导体器件及制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011376901.2
申请日：
2020-11-30
公开(公告)号：
CN112420845A
公开(公告)日：
2021-02-26
发明(设计)人：
朱袁正
廖周林
周锦程
王根毅
周永珍
申请人：
申请人地址：
214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2940
H01L21336
代理机构：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人：
曹祖良;涂三民
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-02-26 | 公开 | 公开 |
| 2021-03-16 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20201130 |