沟槽功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210117031.X

申请日：

2022-02-08

公开(公告)号：

CN114156343B

公开(公告)日：

2022-03-08

发明(设计)人：

周振强

申请人：

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路518号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

田婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20220208
2022-04-29	授权	授权
2022-03-08	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

廖周林 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN213905364U ,2021-08-06

[2]

沟槽功率半导体器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN213150783U ,2021-05-07

[3]

沟槽型半导体功率器件 [P].

郭大川 ;

庄乔舜 .

美国专利 :CN120051006A ,2025-05-27

[4]

功率半导体器件 [P].

朴锺镐 ;

胡尚寿 ;

李相龙 ;

金世云 .

中国专利 :CN211428177U ,2020-09-04

[5]

功率半导体器件 [P].

石川胜美 ;

齐藤克明 ;

佐藤裕 ;

渡边笃雄 ;

加藤修治 ;

门马直弘 .

中国专利 :CN1150337A ,1997-05-21

[6]

功率半导体器件 [P].

穆纳福·拉希莫 ;

彼得·斯特赖特 .

中国专利 :CN101228635B ,2008-07-23

[7]

功率半导体器件 [P].

金泰完 .

中国专利 :CN103872098A ,2014-06-18

[8]

功率半导体器件布置和功率半导体器件模块 [P].

马丁·舒尔茨 .

中国专利 :CN118588701A ,2024-09-03

[9]

沟槽功率半导体器件及制造方法 [P].

朱袁正 ;

廖周林 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN112420845B ,2024-09-06

[10]

沟槽功率半导体器件及制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 .

中国专利 :CN112216743B ,2024-11-29

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