一种基于马赫-曾德结构的氮化硅波导热光开关阵列芯片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510298938.0

申请日：

2015-06-03

公开(公告)号：

CN104849878A

公开(公告)日：

2015-08-19

发明(设计)人：

恽斌峰胡国华张若虎钟嫄崔一平

申请人：

申请人地址：

211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号

IPC主分类号：

G02F101

IPC分类号：

代理机构：

南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249

代理人：

陈国强

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G02F 1/01 申请公布日:20150819
2015-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101625680451 IPC(主分类):G02F 1/01 专利申请号:2015102989380 申请日:20150603
2015-08-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于氮化硅波导器件的偏振不敏感型2×2马赫-曾德尔光开关 [P].

林曈 ;

胡钟秀 ;

李柳 ;

倪振华 ;

吕俊鹏 ;

姚俊杰 ;

冀柏荣 ;

蔡易辉 .

中国专利 :CN119667869A ,2025-03-21

[2]

一种基于氮化硅波导的偏振无关集成光开关及其制作方法 [P].

冯吉军 ;

孙晓宇 ;

曾和平 .

中国专利 :CN108227084A ,2018-06-29

[3]

基于偏振无关马赫-曾德尔光开关的N×N光开关阵列及光开关芯片 [P].

陆梁军 ;

高伟 ;

周林杰 ;

陈建平 ;

金敏慧 .

中国专利 :CN118764090A ,2024-10-11

[4]

基于悬空波导结构的氮化硅相控阵芯片 [P].

曾和平 ;

冯吉军 ;

胡梦云 ;

李小军 ;

谭庆贵 ;

葛锦蔓 .

中国专利 :CN112034550A ,2020-12-04

[5]

一种氮化硅宽带光开关 [P].

武爱民 ;

李昂 ;

仇超 .

中国专利 :CN113805398A ,2021-12-17

[6]

一种氮化硅波导结构及其制备方法 [P].

涂芝娟 ;

汪巍 ;

金博闻 ;

杨张帆 .

中国专利 :CN119937090A ,2025-05-06

[7]

一种铌酸锂氮化硅集成波导结构及其制作方法 [P].

喻千尘 ;

梁雪瑞 .

中国专利 :CN117991449A ,2024-05-07

[8]

基于双层氮化硅结构的光栅耦合器及其制作方法 [P].

王安鑫 ;

王书晓 ;

蔡艳 .

中国专利 :CN115616703B ,2025-11-14

[9]

基于双层氮化硅结构的光栅耦合器及其制作方法 [P].

王安鑫 ;

王书晓 ;

蔡艳 .

中国专利 :CN115616703A ,2023-01-17

[10]

一种低损耗氮化硅波导及制作方法 [P].

王白银 ;

余明斌 ;

汪巍 ;

涂芝娟 ;

杜晓阳 ;

陈旭 .

中国专利 :CN118050850A ,2024-05-17

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