一种基于氮化硅波导的偏振无关集成光开关及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810039337.1

申请日：

2018-01-16

公开(公告)号：

CN108227084A

公开(公告)日：

2018-06-29

发明(设计)人：

冯吉军孙晓宇曾和平

申请人：

申请人地址：

200093 上海市杨浦区军工路516号

IPC主分类号：

G02B635

IPC分类号：

G02B6122 G02B613

代理机构：

上海德昭知识产权代理有限公司 31204

代理人：

郁旦蓉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-29	公开	公开
2018-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G02B 6/35 申请日:20180116
2021-02-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G02B 6/35 申请公布日:20180629

共 50 条

[1]

一种基于马赫-曾德结构的氮化硅波导热光开关阵列芯片及其制作方法 [P].

恽斌峰 ;

胡国华 ;

张若虎 ;

钟嫄 ;

崔一平 .

中国专利 :CN104849878A ,2015-08-19

[2]

一种基于氮化硅波导器件的偏振不敏感型2×2马赫-曾德尔光开关 [P].

林曈 ;

胡钟秀 ;

李柳 ;

倪振华 ;

吕俊鹏 ;

姚俊杰 ;

冀柏荣 ;

蔡易辉 .

中国专利 :CN119667869A ,2025-03-21

[3]

硅-氮化硅三维集成偏振无关波长选择光开关阵列芯片 [P].

陆梁军 ;

李鑫 ;

高伟 ;

周林杰 ;

陈建平 .

中国专利 :CN113985521B ,2022-01-28

[4]

一种氮化硅宽带光开关 [P].

武爱民 ;

李昂 ;

仇超 .

中国专利 :CN113805398A ,2021-12-17

[5]

一种铌酸锂氮化硅集成波导结构及其制作方法 [P].

喻千尘 ;

梁雪瑞 .

中国专利 :CN117991449A ,2024-05-07

[6]

一种氮化硅波导结构及其制备方法 [P].

涂芝娟 ;

汪巍 ;

金博闻 ;

杨张帆 .

中国专利 :CN119937090A ,2025-05-06

[7]

基于硅-氮化硅三维集成的微环光开关 [P].

陆梁军 ;

李鑫 ;

高伟 ;

周林杰 ;

陈建平 .

中国专利 :CN113985522B ,2022-01-28

[8]

一种低损耗氮化硅波导及制作方法 [P].

王白银 ;

余明斌 ;

汪巍 ;

涂芝娟 ;

杜晓阳 ;

陈旭 .

中国专利 :CN118050850A ,2024-05-17

[9]

基于双层氮化硅结构的光栅耦合器及其制作方法 [P].

王安鑫 ;

王书晓 ;

蔡艳 .

中国专利 :CN115616703B ,2025-11-14

[10]

基于双层氮化硅结构的光栅耦合器及其制作方法 [P].

王安鑫 ;

王书晓 ;

蔡艳 .

中国专利 :CN115616703A ,2023-01-17

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