单晶碳化硅制备装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111447889.4

申请日：

2021-11-30

公开(公告)号：

CN114108095B

公开(公告)日：

2022-03-01

发明(设计)人：

李远田陈俊宏

申请人：

申请人地址：

221004 江苏省徐州市徐州经济技术开发区软件园E1楼669室

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-01	公开	公开
2023-02-14	授权	授权
2022-03-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20211130

共 50 条

[1]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 [P].

陈泽斌 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN109629001A ,2019-04-16

[2]

单晶碳化硅长晶原料、单晶碳化硅长晶方法及单晶碳化硅 [P].

余剑云 ;

黄秀松 ;

史悦 ;

郭超 ;

母凤文 .

中国专利 :CN117305986B ,2024-03-29

[3]

用于制备碳化硅粉末和单晶碳化硅的方法 [P].

梁仁锡 ;

权容禛 ;

金一坤 .

中国专利 :CN114585777A ,2022-06-03

[4]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 [P].

陈泽斌 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN109576792A ,2019-04-05

[5]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备 [P].

陈泽斌 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN109629000A ,2019-04-16

[6]

碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶的制造方法 [P].

池田均 ;

松本雄一 ;

高桥亨 .

中国专利 :CN112313369B ,2021-02-02

[7]

碳化硅制备装置 [P].

王书杰 ;

孟静 .

中国专利 :CN110029393A ,2019-07-19

[8]

单晶碳化硅基板的表面处理方法和单晶碳化硅基板 [P].

鸟见聪 ;

矢吹纪人 ;

野上晓 .

中国专利 :CN104797747B ,2015-07-22

[9]

一种大尺寸碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备方法 [P].

康俊勇 ;

尹君 ;

檀鹏 ;

康闻宇 .

中国专利 :CN114411254B ,2024-11-12

[10]

一种大尺寸碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备方法 [P].

康俊勇 ;

尹君 ;

檀鹏 ;

康闻宇 .

中国专利 :CN114411254A ,2022-04-29

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