碳化硅制备装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910454357.X

申请日：

2019-05-29

公开(公告)号：

CN110029393A

公开(公告)日：

2019-07-19

发明(设计)人：

王书杰孟静

申请人：

申请人地址：

050000 河北省石家庄市裕华区槐北路416号40栋3单元602号

IPC主分类号：

C30B910

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-07	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C30B 9/10 申请公布日:20190719
2019-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 9/10 申请日:20190529
2019-07-19	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅制备方法 [P].

王书杰 ;

孟静 .

中国专利 :CN110016713A ,2019-07-16

[2]

碳化硅晶体制备装置及碳化硅晶体制备方法 [P].

马代良 ;

虞邦英 ;

林柏丞 .

中国专利 :CN119663426A ,2025-03-21

[3]

快速制备碳化硅的装置 [P].

李超 .

中国专利 :CN110499532A ,2019-11-26

[4]

碳化硅晶体制备装置 [P].

戚祖强 ;

郭德博 ;

刘勇 ;

肖锦先 ;

李海军 ;

卢万佳 ;

黄金平 ;

汪志超 .

中国专利 :CN209854283U ,2019-12-27

[5]

碳化硅粉制备装置 [P].

李远田 ;

韩倩 ;

尹良良 ;

吴安楠 ;

胡家乐 .

中国专利 :CN121060397A ,2025-12-05

[6]

单晶碳化硅制备装置 [P].

李远田 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN114108095B ,2022-03-01

[7]

碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法 [P].

蔡凯 ;

郭少聪 ;

王军 ;

周维 .

中国专利 :CN113897684A ,2022-01-07

[8]

高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法 [P].

彭同华 ;

王波 ;

赵宁 ;

娄艳芳 ;

郭钰 ;

张贺 ;

刘春俊 ;

杨建 .

中国专利 :CN113186601B ,2021-07-30

[9]

晶体制备装置和碳化硅晶体制备方法 [P].

乔建东 ;

鲍慧强 ;

王增泽 ;

井琳 ;

刘冬冬 ;

黄立文 ;

杨帅 ;

刘振洲 ;

刘素娟 ;

李宪宾 ;

刘雪梅 ;

叶欣怡 ;

赵然 .

中国专利 :CN114645317A ,2022-06-21

[10]

快速制备碳化硅的方法 [P].

李超 .

中国专利 :CN110512281B ,2019-11-29

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