快速制备碳化硅的装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910918243.6

申请日：

2019-09-26

公开(公告)号：

CN110499532A

公开(公告)日：

2019-11-26

发明(设计)人：

李超

申请人：

申请人地址：

053000 河北省衡水市桃城区和平西路1088号

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128

代理人：

王占华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-26	公开	公开
2019-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20190926
2020-09-29	授权	授权
2022-01-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 29/36 登记生效日:20211224 变更事项:专利权人变更前权利人:衡水学院变更后权利人:上海镓旦电子信息有限公司变更事项:地址变更前权利人:053000 河北省衡水市桃城区和平西路1088号变更后权利人:202150 上海市崇明区长兴镇江南大道1333弄11号楼（临港长兴科技园）

共 50 条

[1]

快速制备碳化硅的方法 [P].

李超 .

中国专利 :CN110512281B ,2019-11-29

[2]

碳化硅制备装置 [P].

王书杰 ;

孟静 .

中国专利 :CN110029393A ,2019-07-19

[3]

碳化硅制备方法 [P].

王书杰 ;

孟静 .

中国专利 :CN110016713A ,2019-07-16

[4]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746317A ,2021-05-04

[5]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746317B ,2024-05-31

[6]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[7]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746324B ,2024-04-30

[8]

碳化硅陶瓷的制备方法和碳化硅陶瓷 [P].

刘乙男 ;

崔本仓 ;

方宏 ;

林润港 ;

曹民 .

中国专利 :CN119707497A ,2025-03-28

[9]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746324A ,2021-05-04

[10]

碳化硅粉制备装置 [P].

李远田 ;

韩倩 ;

尹良良 ;

吴安楠 ;

胡家乐 .

中国专利 :CN121060397A ,2025-12-05

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