碳化硅制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910454359.9

申请日：

2019-05-29

公开(公告)号：

CN110016713A

公开(公告)日：

2019-07-16

发明(设计)人：

王书杰孟静

申请人：

申请人地址：

050000 河北省石家庄市裕华区槐北路416号40栋3单元602号

IPC主分类号：

C30B910

IPC分类号：

C30B2936

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-07	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C30B 9/10 申请公布日:20190716
2019-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 9/10 申请日:20190529
2019-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅制备装置 [P].

王书杰 ;

孟静 .

中国专利 :CN110029393A ,2019-07-19

[2]

快速制备碳化硅的方法 [P].

李超 .

中国专利 :CN110512281B ,2019-11-29

[3]

碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法 [P].

蔡凯 ;

郭少聪 ;

王军 ;

周维 .

中国专利 :CN113897684A ,2022-01-07

[4]

碳化硅复合籽晶及其制备方法、碳化硅晶体 [P].

周国清 .

中国专利 :CN120401008A ,2025-08-01

[5]

碳化硅复合籽晶及其制备方法、碳化硅晶体 [P].

周国清 .

中国专利 :CN120401009A ,2025-08-01

[6]

高质量碳化硅籽晶、碳化硅晶体、碳化硅衬底及其制备方法 [P].

彭同华 ;

王波 ;

赵宁 ;

娄艳芳 ;

郭钰 ;

张贺 ;

刘春俊 ;

杨建 .

中国专利 :CN113186601B ,2021-07-30

[7]

碳化硅晶体制备装置及碳化硅晶体制备方法 [P].

马代良 ;

虞邦英 ;

林柏丞 .

中国专利 :CN119663426A ,2025-03-21

[8]

碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法 [P].

欧阳鹏根 ;

刘小琴 ;

盛永江 ;

杨水淼 ;

陈彦宇 ;

杨华 .

中国专利 :CN120193333B ,2025-10-10

[9]

碳化硅结构及其制备方法、碳化硅环 [P].

张珉硕 .

中国专利 :CN118600390A ,2024-09-06

[10]

碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法 [P].

欧阳鹏根 ;

刘小琴 ;

盛永江 ;

杨水淼 ;

陈彦宇 ;

杨华 .

中国专利 :CN120193333A ,2025-06-24

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