半导体器件及其生产方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510092789.9

申请日：

2005-08-25

公开(公告)号：

CN1741281A

公开(公告)日：

2006-03-01

发明(设计)人：

滨口雅史

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2936

IPC分类号：

H01L21265 H01L21336

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

于辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-03-01	公开	公开
2012-01-11	授权	授权
2006-04-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-10-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101631611644 IPC(主分类):H01L 29/36 专利号:ZL2005100927899 申请日:20050825 授权公告日:20120111 终止日期:20140825

共 50 条

[1]

半导体器件及其生产方法 [P].

A·毛德 ;

R·奥特雷姆巴 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN104037070B ,2014-09-10

[2]

半导体器件及其生产方法 [P].

大鹿嘉和 ;

松浦哲也 .

中国专利 :CN102918663B ,2013-02-06

[3]

半导体器件及其生产方法 [P].

C·兹莫尼格 ;

M·卡恩 ;

J·斯坦布伦纳 ;

O·亨贝尔 ;

A·科普罗斯基 ;

T·库兹曼 .

:CN118156287A ,2024-06-07

[4]

半导体器件及其生产方法 [P].

真篠直宽 ;

东光敏 .

中国专利 :CN1392610A ,2003-01-22

[5]

半导体器件及其生产方法 [P].

真篠直宽 ;

東光敏 .

中国专利 :CN100364092C ,2003-01-22

[6]

半导体器件及其生产方法 [P].

大鹿嘉和 ;

松浦哲也 .

中国专利 :CN104681683A ,2015-06-03

[7]

半导体器件及其生产方法 [P].

J·科租比 ;

M·莱度特克 .

中国专利 :CN103972170B ,2014-08-06

[8]

半导体器件,半导体层及其生产方法 [P].

宇田川隆 .

中国专利 :CN1460296A ,2003-12-03

[9]

一种半导体器件及其生产方法 [P].

久宗义明 .

中国专利 :CN1211068A ,1999-03-17

[10]

一种半导体器件及其生产方法 [P].

蒋博翰 .

中国专利 :CN121054476A ,2025-12-02

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