半导体器件,半导体层及其生产方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02801861.3

申请日：

2002-05-23

公开(公告)号：

CN1460296A

公开(公告)日：

2003-12-03

发明(设计)人：

宇田川隆

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L29201

IPC分类号：

H01L21205

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静;李峥

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-08-10	授权	授权
2004-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-12-03	公开	公开
2014-07-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101583769524 IPC(主分类):H01L 29/201 专利号:ZL028018613 申请日:20020523 授权公告日:20050810 终止日期:20130523

共 50 条

[1]

半导体器件及其生产方法 [P].

大鹿嘉和 ;

松浦哲也 .

中国专利 :CN102918663B ,2013-02-06

[2]

半导体器件及其生产方法 [P].

大鹿嘉和 ;

松浦哲也 .

中国专利 :CN104681683A ,2015-06-03

[3]

半导体器件及其生产方法 [P].

滨口雅史 .

中国专利 :CN1741281A ,2006-03-01

[4]

半导体器件及其生产方法 [P].

真篠直宽 ;

东光敏 .

中国专利 :CN1392610A ,2003-01-22

[5]

半导体器件及其生产方法 [P].

A·毛德 ;

R·奥特雷姆巴 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN104037070B ,2014-09-10

[6]

半导体器件及其生产方法 [P].

C·兹莫尼格 ;

M·卡恩 ;

J·斯坦布伦纳 ;

O·亨贝尔 ;

A·科普罗斯基 ;

T·库兹曼 .

:CN118156287A ,2024-06-07

[7]

半导体器件及其生产方法 [P].

真篠直宽 ;

東光敏 .

中国专利 :CN100364092C ,2003-01-22

[8]

半导体器件及其生产方法 [P].

J·科租比 ;

M·莱度特克 .

中国专利 :CN103972170B ,2014-08-06

[9]

半导体器件及其生产方法 [P].

I·尼基廷 ;

M·施内甘斯 .

中国专利 :CN103871977A ,2014-06-18

[10]

半导体器件及其生产方法 [P].

冈本哲昌 .

中国专利 :CN1208967A ,1999-02-24

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