半导体器件及其生产方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510087457.5

申请日：

2011-03-01

公开(公告)号：

CN104681683A

公开(公告)日：

2015-06-03

发明(设计)人：

大鹿嘉和松浦哲也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01S5323 H01L3300

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-03	公开	公开
2017-12-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/32 申请公布日:20150603
2015-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615762609 IPC(主分类):H01L 33/32 专利申请号:2015100874575 申请日:20110301

共 50 条

[1]

半导体器件及其生产方法 [P].

大鹿嘉和 ;

松浦哲也 .

中国专利 :CN102918663B ,2013-02-06

[2]

半导体器件,半导体层及其生产方法 [P].

宇田川隆 .

中国专利 :CN1460296A ,2003-12-03

[3]

半导体器件及其生产方法 [P].

滨口雅史 .

中国专利 :CN1741281A ,2006-03-01

[4]

半导体器件及其生产方法 [P].

C·兹莫尼格 ;

M·卡恩 ;

J·斯坦布伦纳 ;

O·亨贝尔 ;

A·科普罗斯基 ;

T·库兹曼 .

:CN118156287A ,2024-06-07

[5]

半导体器件及其生产方法 [P].

真篠直宽 ;

东光敏 .

中国专利 :CN1392610A ,2003-01-22

[6]

半导体器件及其生产方法 [P].

A·毛德 ;

R·奥特雷姆巴 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN104037070B ,2014-09-10

[7]

半导体器件及其生产方法 [P].

真篠直宽 ;

東光敏 .

中国专利 :CN100364092C ,2003-01-22

[8]

半导体器件及其生产方法 [P].

J·科租比 ;

M·莱度特克 .

中国专利 :CN103972170B ,2014-08-06

[9]

氮化物半导体器件及其生产方法 [P].

大鹿嘉和 ;

松浦哲也 .

中国专利 :CN102598316A ,2012-07-18

[10]

半导体器件及其生产方法 [P].

I·尼基廷 ;

M·施内甘斯 .

中国专利 :CN103871977A ,2014-06-18

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