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一种III-V族半导体晶圆的减薄方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111525785.0
申请日：
2021-12-14
公开(公告)号：
CN114220731A
公开(公告)日：
2022-03-22
发明(设计)人：
王鹤龙
申请人：
申请人地址：
215024 江苏省苏州市工业园区苏虹东路388号
IPC主分类号：
H01L2102
IPC分类号：
H01L21683
代理机构：
北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467
代理人：
杨楠
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-03-22 | 公开 | 公开 |
| 2022-04-08 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20211214 |