一种III-V族半导体晶圆的退火方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910520019.1

申请日：

2019-06-17

公开(公告)号：

CN110197790B

公开(公告)日：

2019-09-03

发明(设计)人：

郭海侠薛金鹏周翔翔陈艳法

申请人：

申请人地址：

215024 江苏省苏州市工业园区苏虹东路388号

IPC主分类号：

H01L21324

IPC分类号：

代理机构：

北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467

代理人：

杨楠

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-27	授权	授权
2019-09-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/324 申请日:20190617
2019-09-03	公开	公开

共 50 条

[1]

III-V族半导体晶圆的减薄方法 [P].

王鹤龙 ;

陆嘉鑫 ;

王国杰 .

中国专利 :CN110253421A ,2019-09-20

[2]

一种III-V族半导体晶圆的减薄方法 [P].

王鹤龙 .

中国专利 :CN114220731A ,2022-03-22

[3]

制造III-V族半导体装置的互连件的方法及III-V族半导体装置 [P].

张翼 ;

林岳钦 ;

蔡明谚 ;

张博盛 .

中国专利 :CN112563191A ,2021-03-26

[4]

制造III-V族半导体装置的互连件的方法及III-V族半导体装置 [P].

张翼 ;

林岳钦 ;

蔡明谚 ;

张博盛 .

中国专利 :CN112563191B ,2024-05-28

[5]

一种III-V族半导体芯片 [P].

黄主龙 ;

王碧霞 .

中国专利 :CN115602664A ,2023-01-13

[6]

堆叠状的III-V族半导体构件 [P].

V·杜德克 .

中国专利 :CN110364565A ,2019-10-22

[7]

一种III-V族半导体MOS界面结构 [P].

刘洪刚 ;

常虎东 ;

孙兵 ;

卢力 .

中国专利 :CN102244094A ,2011-11-16

[8]

III-V族半导体结构及其形成方法 [P].

埃德·林多 ;

尚塔尔·艾尔纳 ;

R·贝尔特拉姆 ;

兰詹·达塔 ;

苏巴实·马哈詹 .

中国专利 :CN102822944B ,2012-12-12

[9]

基于III-V族半导体材料的AC开关 [P].

G·德伯伊 ;

G·库拉托拉 .

中国专利 :CN105428322A ,2016-03-23

[10]

堆叠状的光子III-V族半导体器件 [P].

G·施特罗布尔 .

中国专利 :CN113437167A ,2021-09-24

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