一种双极化诱导掺杂层的AlGaN基紫外LED芯片及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210544131.0

申请日：

2022-05-18

公开(公告)号：

CN114823998A

公开(公告)日：

2022-07-29

发明(设计)人：

张源涛牛云飞邓高强

申请人：

申请人地址：

130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3332 H01L3300

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

刘世纯;王恩远

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	公开	公开
2022-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/02 申请日:20220518

共 50 条

[1]

一种双极化诱导掺杂层的AlGaN基紫外LED芯片及其制备方法 [P].

张源涛 ;

牛云飞 ;

邓高强 .

中国专利 :CN114823998B ,2025-02-18

[2]

一种AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

李光 ;

赵平林 ;

廖加成 ;

白耀平 ;

李述体 .

中国专利 :CN109524523B ,2019-03-26

[3]

一种带有极化诱导p型掺杂层的氮极性蓝紫光LED芯片及制备方法 [P].

张源涛 ;

闫龙 ;

邓高强 ;

韩煦 ;

李鹏翀 .

中国专利 :CN107978661B ,2018-05-01

[4]

一种AlGaN基深紫外LED芯片制备方法及LED芯片 [P].

秦友林 ;

鲁洋 ;

张星星 ;

林潇雄 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117673211A ,2024-03-08

[5]

一种n-SiC衬底AlGaN基垂直结构谐振腔紫外LED芯片及制备方法 [P].

张源涛 ;

李鹏翀 ;

杜国同 ;

闫龙 ;

韩煦 ;

董鑫 ;

张宝林 .

中国专利 :CN105957934A ,2016-09-21

[6]

AlGaN基紫外LED外延结构、LED及其制备方法 [P].

舒俊 ;

张彩霞 ;

程金连 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115842079B ,2024-02-02

[7]

一种基于极化诱导原理的AlGaN基隧穿结结构及其制备方法 [P].

张源涛 ;

陈靓 ;

韩煦 ;

邓高强 ;

董鑫 ;

张宝林 .

中国专利 :CN109786531A ,2019-05-21

[8]

一种紫外LED芯片的制作方法 [P].

曾昭烩 ;

刘晓燕 ;

陈志涛 ;

张康 ;

龚政 ;

刘久澄 ;

任远 ;

潘章旭 ;

李叶林 .

中国专利 :CN108461583B ,2018-08-28

[9]

一种LED芯片结构及其制备方法 [P].

卢卫芳 ;

王梦童 ;

包洋 ;

黄凯 ;

李金钗 ;

杨旭 ;

张荣 .

中国专利 :CN117577750A ,2024-02-20

[10]

一种LED芯片结构及其制备方法 [P].

卢卫芳 ;

王梦童 ;

包洋 ;

黄凯 ;

李金钗 ;

杨旭 ;

张荣 .

中国专利 :CN118136752A ,2024-06-04

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