一种紫外LED芯片的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810110016.6

申请日：

2018-02-05

公开(公告)号：

CN108461583B

公开(公告)日：

2018-08-28

发明(设计)人：

曾昭烩刘晓燕陈志涛张康龚政刘久澄任远潘章旭李叶林

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市天河区长兴路363号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3336

代理机构：

北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371

代理人：

王献茹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-28	公开	公开
2022-11-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 33/00 变更事项:专利权人变更前:广东省半导体产业技术研究院变更后:广东省科学院半导体研究所变更事项:地址变更前:510000 广东省广州市天河区长兴路363号变更后:510651 广东省广州市天河区长兴路363号
2018-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20180205
2019-11-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种倒装LED芯片的制作方法 [P].

黄文光 ;

曹玉飞 ;

李明 ;

史烁 ;

冯小楠 ;

孙宇泉 ;

戴晗 ;

郇洁 .

中国专利 :CN120916540A ,2025-11-07

[2]

一种紫外LED芯片及其制作方法 [P].

仇美懿 ;

林耀辉 ;

庄家铭 .

中国专利 :CN110854253A ,2020-02-28

[3]

一种紫外LED芯片及其制作方法 [P].

仇美懿 ;

林耀辉 ;

庄家铭 .

中国专利 :CN110854253B ,2024-04-30

[4]

一种紫外LED芯片、紫外LED芯片的制作方法及一种紫外LED [P].

何苗 ;

杨思攀 ;

王润 ;

赵韦人 .

中国专利 :CN108110105A ,2018-06-01

[5]

一种LED芯片制作方法 [P].

汤乐 ;

刘慰华 ;

陈伟 .

中国专利 :CN103872192A ,2014-06-18

[6]

一种紫外LED芯片制作方法 [P].

曾昭烩 ;

刘晓燕 ;

陈志涛 ;

刘久澄 ;

龚政 ;

任远 ;

潘章旭 ;

李叶林 .

中国专利 :CN108011002B ,2018-05-08

[7]

LED芯片及其制作方法以及半导体发光器件及其制作方法 [P].

冯岩 .

中国专利 :CN112951967A ,2021-06-11

[8]

一种LED芯片及其制作方法 [P].

艾国齐 .

中国专利 :CN107611236B ,2018-01-19

[9]

一种紫外LED芯片及其制作方法 [P].

仇美懿 ;

庄家铭 .

中国专利 :CN111192945A ,2020-05-22

[10]

一种紫外LED芯片及其制作方法 [P].

万志 ;

卓祥景 ;

尧刚 ;

程伟 ;

林志伟 .

中国专利 :CN111900237A ,2020-11-06

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