一种n-SiC衬底AlGaN基垂直结构谐振腔紫外LED芯片及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610263454.7

申请日：

2016-04-26

公开(公告)号：

CN105957934A

公开(公告)日：

2016-09-21

发明(设计)人：

张源涛李鹏翀杜国同闫龙韩煦董鑫张宝林

申请人：

申请人地址：

130012 吉林省长春市前进大街2699号

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3304 H01L3310 H01L3300

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

刘世纯;王恩远

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101683323006 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2016102634547 申请日:20160426
2016-09-21	公开	公开
2018-02-13	授权	授权
2022-05-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/02 登记生效日:20220507 变更事项:专利权人变更前权利人:吉林大学变更后权利人:上海镓旦电子信息有限公司变更事项:地址变更前权利人:130012 吉林省长春市前进大街2699号变更后权利人:201913 上海市崇明区长兴镇江南大道1333弄11号楼

共 50 条

[1]

一种基于碳面SiC衬底的垂直结构氮极性GaN基绿光LED芯片及其制备方法 [P].

张源涛 ;

邓高强 ;

黄振 ;

董鑫 ;

马艳 ;

张宝林 ;

杜国同 .

中国专利 :CN106098890B ,2016-11-09

[2]

一种基于SiC衬底的垂直结构GaN基紫外LED及其制备方法 [P].

梁红伟 ;

柳阳 ;

杜国同 ;

申人升 ;

夏晓川 .

中国专利 :CN103730549A ,2014-04-16

[3]

一种AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

李光 ;

赵平林 ;

廖加成 ;

白耀平 ;

李述体 .

中国专利 :CN109524523B ,2019-03-26

[4]

一种衬底出光SiC衬底垂直结构发光管及制备方法 [P].

杜国同 ;

梁红伟 ;

李万程 .

中国专利 :CN102064250B ,2011-05-18

[5]

一种大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法 [P].

杜国同 ;

梁红伟 ;

李国兴 .

中国专利 :CN102064251A ,2011-05-18

[6]

一种双极化诱导掺杂层的AlGaN基紫外LED芯片及其制备方法 [P].

张源涛 ;

牛云飞 ;

邓高强 .

中国专利 :CN114823998A ,2022-07-29

[7]

一种双极化诱导掺杂层的AlGaN基紫外LED芯片及其制备方法 [P].

张源涛 ;

牛云飞 ;

邓高强 .

中国专利 :CN114823998B ,2025-02-18

[8]

一种AlGaN基深紫外LED芯片制备方法及LED芯片 [P].

秦友林 ;

鲁洋 ;

张星星 ;

林潇雄 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117673211A ,2024-03-08

[9]

SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法 [P].

蒋建华 ;

梁红伟 ;

夏晓川 ;

黄慧诗 ;

闫晓密 .

中国专利 :CN104979446A ,2015-10-14

[10]

一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片及其制备方法 [P].

黄华茂 ;

杨倬波 ;

王洪 ;

胡晓龙 .

中国专利 :CN107369746A ,2017-11-21

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