一种大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010555083.2

申请日：

2010-11-23

公开(公告)号：

CN102064251A

公开(公告)日：

2011-05-18

发明(设计)人：

杜国同梁红伟李国兴

申请人：

申请人地址：

130012 吉林省长春市朝阳区前进大街2699号

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3306 H01L3344 H01L3322 H01L3320 H01L3336 H01L3300

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

张景林;刘喜生

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-05	授权	授权
2011-05-18	公开	公开
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101088113998 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2010105550832 申请日:20101123
2014-01-08	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101685164737 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2010105550832 专利号:ZL2010105550832 合同备案号:2013220000023 让与人:吉林大学受让人:江西圆融光电科技有限公司发明名称:一种大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法申请日:20101123 申请公布日:20110518 授权公告日:20121205 许可种类:独占许可备案日期:20131210

共 50 条

[1]

一种衬底出光SiC衬底垂直结构发光管及制备方法 [P].

杜国同 ;

梁红伟 ;

李万程 .

中国专利 :CN102064250B ,2011-05-18

[2]

一种具有微孔结构的NiO-AlGaN紫外发光管及其制备方法 [P].

董鑫 ;

杜国同 ;

殷景志 ;

张源涛 ;

张宝林 .

中国专利 :CN104681677A ,2015-06-03

[3]

阶梯阵列式高压发光管及其制备方法 [P].

杜国同 ;

梁红伟 ;

彭晖 ;

郭文平 ;

闫春辉 .

中国专利 :CN102130107A ,2011-07-20

[4]

p-NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法 [P].

杜国同 ;

张源涛 ;

邓高强 .

中国专利 :CN115458656A ,2022-12-09

[5]

p-NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法 [P].

杜国同 ;

张源涛 ;

邓高强 .

中国专利 :CN115458656B ,2025-01-17

[6]

Cu掺杂ZnO为有源层的ZnO-GaN组合紫外发光管及其制备方法 [P].

杜国同 ;

梁红伟 ;

董鑫 ;

夏晓川 ;

包俊飞 .

中国专利 :CN105720148A ,2016-06-29

[7]

一种基于SiC衬底的垂直结构GaN基紫外LED及其制备方法 [P].

梁红伟 ;

柳阳 ;

杜国同 ;

申人升 ;

夏晓川 .

中国专利 :CN103730549A ,2014-04-16

[8]

一种基于碳面SiC衬底的垂直结构氮极性GaN基绿光LED芯片及其制备方法 [P].

张源涛 ;

邓高强 ;

黄振 ;

董鑫 ;

马艳 ;

张宝林 ;

杜国同 .

中国专利 :CN106098890B ,2016-11-09

[9]

一种n-SiC衬底AlGaN基垂直结构谐振腔紫外LED芯片及制备方法 [P].

张源涛 ;

李鹏翀 ;

杜国同 ;

闫龙 ;

韩煦 ;

董鑫 ;

张宝林 .

中国专利 :CN105957934A ,2016-09-21

[10]

一种大功率LED及其制备方法 [P].

高芳亮 .

中国专利 :CN114420810A ,2022-04-29

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