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p-NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法
被引：0
申请号：
CN202211245699.9
申请日：
2022-10-12
公开(公告)号：
CN115458656A
公开(公告)日：
2022-12-09
发明(设计)人：
杜国同
张源涛
邓高强
申请人：
申请人地址：
130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号
IPC主分类号：
H01L3326
IPC分类号：
H01L3300
H01L3306
代理机构：
长春吉大专利代理有限责任公司 22201
代理人：
刘世纯;王恩远
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-12-09 | 公开 | 公开 |
| 2022-12-27 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/26 申请日:20221012 |