一种具有微孔结构的NiO-AlGaN紫外发光管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510086426.8

申请日：

2015-02-17

公开(公告)号：

CN104681677A

公开(公告)日：

2015-06-03

发明(设计)人：

董鑫杜国同殷景志张源涛张宝林

申请人：

申请人地址：

130012 吉林省长春市前进大街2699号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3314 H01L3330 H01L3320 H01L3300

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

张景林;王恩远

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-03	公开	公开
2015-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615750001 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2015100864268 申请日:20150217
2022-05-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/06 登记生效日:20220511 变更事项:专利权人变更前权利人:吉林大学变更后权利人:上海镓旦电子信息有限公司变更事项:地址变更前权利人:130012 吉林省长春市前进大街2699号变更后权利人:201913 上海市崇明区长兴镇江南大道1333弄11号楼
2017-10-27	授权	授权

共 50 条

[1]

p-NiO为盖层的AlGaN紫外光发光管和激光器及其制备方法 [P].

杜国同 ;

张源涛 ;

邓高强 .

中国专利 :CN115621390A ,2023-01-17

[2]

一种大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法 [P].

杜国同 ;

梁红伟 ;

李国兴 .

中国专利 :CN102064251A ,2011-05-18

[3]

Cu掺杂ZnO为有源层的ZnO-GaN组合紫外发光管及其制备方法 [P].

杜国同 ;

梁红伟 ;

董鑫 ;

夏晓川 ;

包俊飞 .

中国专利 :CN105720148A ,2016-06-29

[4]

p-NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法 [P].

杜国同 ;

张源涛 ;

邓高强 .

中国专利 :CN115458656A ,2022-12-09

[5]

p-NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法 [P].

杜国同 ;

张源涛 ;

邓高强 .

中国专利 :CN115458656B ,2025-01-17

[6]

一种衬底出光SiC衬底垂直结构发光管及制备方法 [P].

杜国同 ;

梁红伟 ;

李万程 .

中国专利 :CN102064250B ,2011-05-18

[7]

阶梯阵列式高压发光管及其制备方法 [P].

杜国同 ;

梁红伟 ;

彭晖 ;

郭文平 ;

闫春辉 .

中国专利 :CN102130107A ,2011-07-20

[8]

p-NiO为盖层的GaN可见光发光管和激光器及其制备方法 [P].

杜国同 ;

张源涛 ;

邓高强 .

中国专利 :CN115588721A ,2023-01-10

[9]

p-NiO为盖层的AlGaN紫外光发光二极管和激光器及其制备方法 [P].

杜国同 ;

张源涛 ;

邓高强 .

中国专利 :CN115621390B ,2025-07-25

[10]

一种AlGaN基紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

李光 ;

赵平林 ;

廖加成 ;

白耀平 ;

李述体 .

中国专利 :CN109524523B ,2019-03-26

← 1 2 3 4 5 →