一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310105218.5

申请日：

2003-11-28

公开(公告)号：

CN1621559A

公开(公告)日：

2005-06-01

发明(设计)人：

宫骏肖金泉孙超华伟刚刘山川王启民王铁钢裴志亮闻立时

申请人：

申请人地址：

110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

代理机构：

沈阳科苑专利商标代理有限公司

代理人：

许宗富;周秀梅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-01-24	授权	授权
2005-06-01	公开	公开
2014-01-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101565522137 IPC(主分类):C23C 14/35 专利号:ZL2003101052185 申请日:20031128 授权公告日:20070124 终止日期:20121128
2009-12-30	专利实施许可合同的备案	专利实施许可合同的备案合同备案号:2009330001656 让与人:中国科学院金属研究所受让人:高鸿不锈钢(浙江)有限公司发明名称:一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶申请日:20031128 授权公告日:20070124 许可种类:独占许可备案日期:2009.7.17 合同履行期限:2008.6.30至2014.6.29合同变更
2005-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶 [P].

范玉山 ;

张梓江 .

中国专利 :CN113981394A ,2022-01-28

[2]

提高靶材利用率的磁控溅射靶及控制方法、磁控溅射设备 [P].

郭挑远 .

中国专利 :CN119194383A ,2024-12-27

[3]

一种提高磁控溅射靶材利用率的结构 [P].

闫都伦 ;

王克斌 ;

吴细标 ;

唐贵民 .

中国专利 :CN204803398U ,2015-11-25

[4]

一种提高磁控溅射靶材利用率的装置 [P].

谢斌 ;

李明 ;

籍伟杰 .

中国专利 :CN211814635U ,2020-10-30

[5]

一种磁控溅射靶 [P].

宫骏 ;

肖金泉 ;

孙超 ;

华伟刚 ;

刘山川 ;

王启民 ;

王铁钢 ;

裴志亮 ;

闻立时 .

中国专利 :CN2693788Y ,2005-04-20

[6]

一种提高磁控溅射靶材利用率的装置 [P].

孔伟华 .

中国专利 :CN215976017U ,2022-03-08

[7]

一种提高磁控溅射靶材利用率的方法 [P].

毛思宁 ;

程远达 ;

程其兵 ;

陈箫箫 .

中国专利 :CN119876877A ,2025-04-25

[8]

一种提高磁控溅射靶材利用率的装置及方法 [P].

谢斌 ;

李明 ;

籍伟杰 .

中国专利 :CN110643966A ,2020-01-03

[9]

一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极 [P].

陈理 ;

李国强 .

中国专利 :CN101418433A ,2009-04-29

[10]

一种提高利用率的平面磁控溅射靶 [P].

范家秋 .

中国专利 :CN102071401A ,2011-05-25

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