一种提高磁控溅射靶材利用率的装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202122591776.3

申请日：

2021-10-27

公开(公告)号：

CN215976017U

公开(公告)日：

2022-03-08

发明(设计)人：

孔伟华

申请人：

申请人地址：

221200 江苏省徐州市睢宁县双沟镇空港经济开发区临空大道与安澜大道交叉口

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

代理机构：

南京佰腾智信知识产权代理事务所(普通合伙) 32509

代理人：

黄杭飞

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种提高磁控溅射靶材利用率的装置 [P].

谢斌 ;

李明 ;

籍伟杰 .

中国专利 :CN211814635U ,2020-10-30

[2]

一种提高磁控溅射靶材利用率的结构 [P].

闫都伦 ;

王克斌 ;

吴细标 ;

唐贵民 .

中国专利 :CN204803398U ,2015-11-25

[3]

一种提高磁控溅射靶材利用率的方法 [P].

毛思宁 ;

程远达 ;

程其兵 ;

陈箫箫 .

中国专利 :CN119876877A ,2025-04-25

[4]

一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶 [P].

范玉山 ;

张梓江 .

中国专利 :CN113981394A ,2022-01-28

[5]

一种提高磁控溅射靶材利用率的装置及方法 [P].

谢斌 ;

李明 ;

籍伟杰 .

中国专利 :CN110643966A ,2020-01-03

[6]

一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶 [P].

宫骏 ;

肖金泉 ;

孙超 ;

华伟刚 ;

刘山川 ;

王启民 ;

王铁钢 ;

裴志亮 ;

闻立时 .

中国专利 :CN1621559A ,2005-06-01

[7]

提高靶材利用率的磁控溅射靶及控制方法、磁控溅射设备 [P].

郭挑远 .

中国专利 :CN119194383A ,2024-12-27

[8]

一种磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备 [P].

魏钰 ;

宋博韬 ;

成军 ;

刘宁 .

中国专利 :CN205934012U ,2017-02-08

[9]

一种提高利用率的平面磁控溅射靶 [P].

范家秋 .

中国专利 :CN102071401A ,2011-05-25

[10]

一种提高利用率的平面磁控溅射靶 [P].

范家秋 .

中国专利 :CN201598328U ,2010-10-06

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