一种提高利用率的平面磁控溅射靶

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200920201584.3

申请日：

2009-11-27

公开(公告)号：

CN201598328U

公开(公告)日：

2010-10-06

发明(设计)人：

范家秋

申请人：

申请人地址：

318020 浙江省台州市黄岩西工业园新屿路68号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

代理机构：

浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100

代理人：

王官明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-10-06	授权	授权
2019-12-20	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20091127 授权公告日:20101006

共 50 条

[1]

一种提高利用率的平面磁控溅射靶 [P].

范家秋 .

中国专利 :CN102071401A ,2011-05-25

[2]

一种高利用率的平面磁控溅射靶 [P].

李志荣 ;

李志方 ;

罗志明 ;

李秋霞 .

中国专利 :CN102071403A ,2011-05-25

[3]

一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶 [P].

宫骏 ;

肖金泉 ;

孙超 ;

华伟刚 ;

刘山川 ;

王启民 ;

王铁钢 ;

裴志亮 ;

闻立时 .

中国专利 :CN1621559A ,2005-06-01

[4]

一种提高磁控溅射靶材利用率的结构 [P].

闫都伦 ;

王克斌 ;

吴细标 ;

唐贵民 .

中国专利 :CN204803398U ,2015-11-25

[5]

一种提高磁控溅射靶材利用率的装置 [P].

谢斌 ;

李明 ;

籍伟杰 .

中国专利 :CN211814635U ,2020-10-30

[6]

一种提高磁控溅射靶材利用率的装置 [P].

孔伟华 .

中国专利 :CN215976017U ,2022-03-08

[7]

一种提高磁控溅射靶材利用率的方法 [P].

毛思宁 ;

程远达 ;

程其兵 ;

陈箫箫 .

中国专利 :CN119876877A ,2025-04-25

[8]

一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶 [P].

范玉山 ;

张梓江 .

中国专利 :CN113981394A ,2022-01-28

[9]

一种平面磁控溅射靶 [P].

王刚 ;

江少群 ;

王泽华 ;

周泽华 ;

程江波 .

中国专利 :CN104404463A ,2015-03-11

[10]

提高靶材利用率的磁控溅射靶及控制方法、磁控溅射设备 [P].

郭挑远 .

中国专利 :CN119194383A ,2024-12-27

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