一种提高磁控溅射靶材利用率的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510116278.3

申请日：

2025-01-24

公开(公告)号：

CN119876877A

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

毛思宁程远达程其兵陈箫箫

申请人：

亚芯半导体材料（江苏）有限公司

申请人地址：

213000 江苏省常州市天宁区福阳路61号

IPC主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

H01J37/34

代理机构：

常州星颂专利代理事务所(普通合伙) 32916

代理人：

牛志清

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	公开	公开
2025-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20250124

共 50 条

[1]

一种提高磁控溅射靶材利用率的装置 [P].

孔伟华 .

中国专利 :CN215976017U ,2022-03-08

[2]

一种提高磁控溅射靶材利用率的结构 [P].

闫都伦 ;

王克斌 ;

吴细标 ;

唐贵民 .

中国专利 :CN204803398U ,2015-11-25

[3]

一种提高磁控溅射靶材利用率的装置 [P].

谢斌 ;

李明 ;

籍伟杰 .

中国专利 :CN211814635U ,2020-10-30

[4]

一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶 [P].

范玉山 ;

张梓江 .

中国专利 :CN113981394A ,2022-01-28

[5]

一种提高磁控溅射靶材利用率的装置及方法 [P].

谢斌 ;

李明 ;

籍伟杰 .

中国专利 :CN110643966A ,2020-01-03

[6]

提高靶材利用率的磁控溅射靶及控制方法、磁控溅射设备 [P].

郭挑远 .

中国专利 :CN119194383A ,2024-12-27

[7]

一种可提高靶材利用率的磁控溅射靶 [P].

宫骏 ;

肖金泉 ;

孙超 ;

华伟刚 ;

刘山川 ;

王启民 ;

王铁钢 ;

裴志亮 ;

闻立时 .

中国专利 :CN1621559A ,2005-06-01

[8]

一种提高利用率的平面磁控溅射靶 [P].

范家秋 .

中国专利 :CN102071401A ,2011-05-25

[9]

一种提高利用率的平面磁控溅射靶 [P].

范家秋 .

中国专利 :CN201598328U ,2010-10-06

[10]

一种磁控溅射靶材、磁控溅射靶及磁控溅射设备 [P].

魏钰 ;

宋博韬 ;

成军 ;

刘宁 .

中国专利 :CN205934012U ,2017-02-08

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