一种SiO2非晶纳米线及纳米晶粒的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510894823.8

申请日：

2015-12-08

公开(公告)号：

CN105502413B

公开(公告)日：

2016-04-20

发明(设计)人：

杨喜宝吕航徐菁王莉丽陆晓东王秋实

申请人：

申请人地址：

121000 辽宁省锦州市高新技术产业区科技路19号

IPC主分类号：

C01B3312

IPC分类号：

B82Y3000

代理机构：

沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115

代理人：

周楠;宋铁军

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 33/12 申请日:20151208 授权公告日:20170811 终止日期:20171208
2016-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101660898361 IPC(主分类):C01B 33/12 专利申请号:2015108948238 申请日:20151208
2016-04-20	公开	公开
2017-08-11	授权	授权

共 50 条

[1]

一种Tb3+掺杂SiO2纳米线及纳米晶粒材料和制备方法 [P].

吕航 ;

杨喜宝 ;

周璐 ;

陈双龙 ;

王秋实 .

中国专利 :CN115043409A ,2022-09-13

[2]

一种锥形的非晶SiO2纳米线及其制备方法 [P].

向钢 ;

张丹青 .

中国专利 :CN104016359A ,2014-09-03

[3]

一种平行排列的SiO2纳米线及其制备方法 [P].

杨喜宝 ;

吕航 ;

王莉丽 ;

李波欣 ;

陈双龙 ;

董恩来 ;

赵景龙 ;

刘秋颖 ;

姚震 .

中国专利 :CN108147418A ,2018-06-12

[4]

一种SiC/SiO2同轴纳米线的制备方法 [P].

王继刚 ;

黄珊 .

中国专利 :CN103738964B ,2014-04-23

[5]

一种多孔SiO2纳米线阵列的制备方法 [P].

何海平 ;

蔚倩倩 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN104835719A ,2015-08-12

[6]

一维SiO2纳米材料及其制备方法 [P].

杜军 ;

李青青 ;

王锋 ;

丁瑜 ;

覃彩芹 .

中国专利 :CN106587079A ,2017-04-26

[7]

一种同时合成SiO2纳米线和SiC晶须的方法 [P].

陈建军 ;

王耐艳 ;

王彩华 ;

高林辉 ;

金达莱 .

中国专利 :CN101319368B ,2008-12-10

[8]

一种交叉垂直SiO2纳米棒及其制备方法 [P].

吕航 ;

杨喜宝 ;

陈双龙 ;

王秋实 ;

王莉丽 ;

朱革 ;

辛双宇 ;

董恩来 ;

刘秋颖 .

中国专利 :CN106276922B ,2017-01-04

[9]

一种SiC/SiO2纳米线增强体的合成方法 [P].

王志江 ;

矫金福 ;

徐用军 ;

姜兆华 .

中国专利 :CN103011166A ,2013-04-03

[10]

SiO2纳米棒/CdS的制备方法 [P].

李霞章 ;

胡宗林 ;

孟英芹 ;

陆晓旺 ;

赵晓兵 ;

姚超 ;

陈志刚 .

中国专利 :CN103241766A ,2013-08-14

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