一种SiC/SiO2纳米线增强体的合成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210578947.1

申请日：

2012-12-27

公开(公告)号：

CN103011166A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

王志江矫金福徐用军姜兆华

申请人：

申请人地址：

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

IPC主分类号：

C01B3136

IPC分类号：

C01B3312

代理机构：

哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109

代理人：

韩末洙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101448956349 IPC(主分类):C01B 31/36 专利申请号:2012105789471 申请日:20121227
2014-10-15	授权	授权
2013-04-03	公开	公开
2021-07-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C01B 31/36 登记生效日:20210621 变更事项:专利权人变更前权利人:哈尔滨工业大学资产经营有限公司变更后权利人:内蒙古海特华材科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:150001 黑龙江省哈尔滨市邮政街副434号哈尔滨工业大学国家大学科技园11层1107室变更后权利人:010000 内蒙古自治区呼和浩特市金桥开发区管委会225号变更事项:专利权人变更前权利人:王志江
2021-06-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C01B 31/36 登记生效日:20210526 变更事项:专利权人变更前权利人:哈尔滨工业大学变更后权利人:哈尔滨工业大学资产经营有限公司变更事项:地址变更前权利人:150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更后权利人:150001 黑龙江省哈尔滨市邮政街副434号哈尔滨工业大学国家大学科技园11层1107室变更事项:专利权人变更后权利人:王志江

共 50 条

[1]

一种β-SiC纳米线的合成方法 [P].

王志江 ;

矫金福 ;

徐用军 ;

姜兆华 .

中国专利 :CN102976324A ,2013-03-20

[2]

一种同时合成SiO2纳米线和SiC晶须的方法 [P].

陈建军 ;

王耐艳 ;

王彩华 ;

高林辉 ;

金达莱 .

中国专利 :CN101319368B ,2008-12-10

[3]

一种SiC/SiO2同轴纳米线的制备方法 [P].

王继刚 ;

黄珊 .

中国专利 :CN103738964B ,2014-04-23

[4]

一种β－SiC纳米线的合成方法 [P].

李翠艳 ;

黄剑锋 ;

曹丽云 ;

吴建鹏 ;

卢靖 .

中国专利 :CN101306816A ,2008-11-19

[5]

非晶SiO2包覆SiC同轴纳米电缆的合成方法 [P].

李镇江 ;

李贺军 .

中国专利 :CN1286123C ,2004-02-04

[6]

一种SiO2纳米纤维束阵列的合成方法 [P].

张国栋 ;

刘念 .

中国专利 :CN102502664A ,2012-06-20

[7]

一种SiC/SiO2纳米串珠的制备方法 [P].

李翠艳 ;

黎桂标 ;

欧阳海波 ;

黄剑锋 ;

李子怡 ;

费杰 ;

许钊 .

中国专利 :CN106495167B ,2017-03-15

[8]

一种SiO2非晶纳米线及纳米晶粒的制备方法 [P].

杨喜宝 ;

吕航 ;

徐菁 ;

王莉丽 ;

陆晓东 ;

王秋实 .

中国专利 :CN105502413B ,2016-04-20

[9]

一种多孔SiO2纳米线阵列的制备方法 [P].

何海平 ;

蔚倩倩 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN104835719A ,2015-08-12

[10]

一种锥形的非晶SiO2纳米线及其制备方法 [P].

向钢 ;

张丹青 .

中国专利 :CN104016359A ,2014-09-03

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