一种β-SiC纳米线的合成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210516420.6
申请日
2012-12-05
公开(公告)号
CN102976324A
公开(公告)日
2013-03-20
发明(设计)人
王志江 矫金福 徐用军 姜兆华
申请人
申请人地址
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
IPC主分类号
C01B3136
IPC分类号
B82Y3000
代理机构
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109
代理人
韩末洙
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
一种SiC/SiO2纳米线增强体的合成方法 [P]. 
王志江 ;
矫金福 ;
徐用军 ;
姜兆华 .
中国专利 :CN103011166A ,2013-04-03
[2]
一种β-SiC纳米线的合成方法 [P]. 
李翠艳 ;
黄剑锋 ;
曹丽云 ;
吴建鹏 ;
卢靖 .
中国专利 :CN101306816A ,2008-11-19
[3]
一种银纳米线的合成方法 [P]. 
王立 ;
陈昌 .
中国专利 :CN1740405A ,2006-03-01
[4]
一维SiC纳米线的制备方法 [P]. 
康鹏超 ;
武高辉 ;
苏军 .
中国专利 :CN100488873C ,2007-10-10
[5]
单晶纳米线阵列的合成方法 [P]. 
吴凯 ;
宫勇吉 ;
余捷峰 ;
黄斌 ;
尚鉴 .
中国专利 :CN101985774A ,2011-03-16
[6]
一种钛酸钡纳米线的控制合成方法 [P]. 
孙爱祥 ;
于洁 ;
李康华 ;
高睿思 ;
刘锦锐 ;
杨德清 ;
王苗苗 ;
贺祖章 .
中国专利 :CN119191342A ,2024-12-27
[7]
SiC纳米线的制备方法 [P]. 
温广武 ;
黄小萧 ;
张晓东 ;
王声函 ;
马飞翔 ;
李峰 ;
朱建东 .
中国专利 :CN101597059A ,2009-12-09
[8]
一种银纳米线的合成方法 [P]. 
刘子怡 ;
龚禾芳 ;
范婷婷 ;
王菏晨 ;
刘爽 ;
明宗超 ;
张苏吉洋 ;
田大川 .
中国专利 :CN118577803A ,2024-09-03
[9]
一种银纳米线的合成方法 [P]. 
俞书宏 ;
王康 ;
刘建伟 .
中国专利 :CN110369710B ,2019-10-25
[10]
多孔碳化钼纳米线的合成方法 [P]. 
唐颐 ;
高庆生 ;
张亚红 .
中国专利 :CN101367521A ,2009-02-18