半导体器件和电位测量装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880057569.8

申请日：

2018-10-23

公开(公告)号：

CN111066240A

公开(公告)日：

2020-04-24

发明(设计)人：

加藤祐理

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H03F345

IPC分类号：

G01N27414 G01R2912 H03F368

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

陈桂香;曹正建

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H03F 3/45 申请日:20181023
2020-04-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和电位测量装置 [P].

加藤祐理 .

日本专利 :CN111066240B ,2024-03-19

[2]

半导体装置和电位测量装置 [P].

佐藤正启 ;

亀谷真知子 ;

小木纯 ;

加藤祐理 .

中国专利 :CN110023746B ,2019-07-16

[3]

半导体装置和细胞电位测量设备 [P].

加藤祐理 ;

大池祐辅 .

中国专利 :CN109313158B ,2019-02-05

[4]

半导体装置和电位测量装置 [P].

佐藤正启 ;

亀谷真知子 ;

小木纯 ;

加藤祐理 .

中国专利 :CN109952505A ,2019-06-28

[5]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN208189591U ,2018-12-04

[6]

半导体器件测量装置 [P].

靳凯 .

中国专利 :CN221859515U ,2024-10-18

[7]

半导体器件和半导体装置 [P].

K.霍赛尼 ;

A.毛德 .

中国专利 :CN203521403U ,2014-04-02

[8]

半导体器件和电源装置 [P].

牧野良成 ;

横田健一 ;

田泽朋裕 .

中国专利 :CN102263492B ,2011-11-30

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

铃村功 ;

神内纪秀 ;

渡壁创 ;

花田明纮 ;

小野寺凉 .

中国专利 :CN111554692A ,2020-08-18

[10]

单片半导体器件和半导体器件 [P].

J·W·霍尔 ;

G·M·格里弗纳 .

中国专利 :CN208189592U ,2018-12-04

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