半导体器件测量装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420131167.0

申请日：

2024-01-18

公开(公告)号：

CN221859515U

公开(公告)日：

2024-10-18

发明(设计)人：

靳凯

申请人：

武汉楚兴技术有限公司

申请人地址：

430040 湖北省武汉市东西湖区径河街网安大道7号

IPC主分类号：

G01B21/00

IPC分类号：

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司 11274

代理人：

冉青彦

法律状态：

授权

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-18	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件在位检测装置 [P].

王焕平 .

中国专利 :CN202916452U ,2013-05-01

[2]

半导体器件和电位测量装置 [P].

加藤祐理 .

中国专利 :CN111066240A ,2020-04-24

[3]

半导体器件和电位测量装置 [P].

加藤祐理 .

日本专利 :CN111066240B ,2024-03-19

[4]

一种半导体器件测量装置 [P].

翟丹 .

中国专利 :CN113654472A ,2021-11-16

[5]

一种半导体器件测量装置 [P].

吴玮 ;

王贵峰 ;

王梓怡 .

中国专利 :CN115143911A ,2022-10-04

[6]

半导体器件、半导体器件制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110880473A ,2020-03-13

[7]

半导体器件、半导体器件制造方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN110880473B ,2025-02-25

[8]

半导体器件的应力测量装置以及方法 [P].

李恋恋 ;

都安彦 ;

杨红 ;

王文武 .

中国专利 :CN113791325A ,2021-12-14

[9]

半导体器件的应力测量装置以及方法 [P].

李恋恋 ;

都安彦 ;

杨红 ;

王文武 .

中国专利 :CN113791325B ,2025-01-21

[10]

半导体器件和电压测量装置 [P].

牧野良成 .

中国专利 :CN103424709A ,2013-12-04

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