半导体器件和电压测量装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310177996.9

申请日：

2013-05-15

公开(公告)号：

CN103424709A

公开(公告)日：

2013-12-04

发明(设计)人：

牧野良成

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

G01R3136

IPC分类号：

H01M1042

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

申发振

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-11	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101723454396 IPC(主分类):G01R 31/36 专利申请号:2013101779969 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本东京
2018-08-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01R 31/36 申请公布日:20131204
2015-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101610549329 IPC(主分类):G01R 31/36 专利申请号:2013101779969 申请日:20130515
2013-12-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和电位测量装置 [P].

加藤祐理 .

中国专利 :CN111066240A ,2020-04-24

[2]

半导体器件和电位测量装置 [P].

加藤祐理 .

日本专利 :CN111066240B ,2024-03-19

[3]

半导体器件测量装置 [P].

靳凯 .

中国专利 :CN221859515U ,2024-10-18

[4]

电压变换电路和半导体器件 [P].

森川佳直 .

中国专利 :CN1463078A ,2003-12-24

[5]

半导体装置和半导体器件 [P].

五十栖洋一 ;

别井隆文 ;

仮屋崎修一 .

中国专利 :CN115377066A ,2022-11-22

[6]

半导体器件和半导体装置 [P].

河阪俊行 ;

仓知俊介 .

日本专利 :CN112864028B ,2024-11-29

[7]

半导体器件和半导体装置 [P].

河阪俊行 ;

仓知俊介 .

中国专利 :CN112864028A ,2021-05-28

[8]

半导体器件和半导体装置 [P].

沼部英雄 ;

立野孝治 ;

小岛勇介 ;

横井芳彦 ;

石田慎哉 ;

松浦仁 .

中国专利 :CN107359155A ,2017-11-17

[9]

半导体器件和半导体装置 [P].

K.霍赛尼 ;

A.毛德 .

中国专利 :CN203521403U ,2014-04-02

[10]

半导体器件和包括半导体器件的半导体系统 [P].

金旼昶 ;

郭鲁侠 ;

申宇烈 .

中国专利 :CN105373500B ,2016-03-02

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