用于扩展电压操作的动态衬底偏置

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专利类型
发明
申请号
CN201910552149.3
申请日
2019-06-24
公开(公告)号
CN110649013A
公开(公告)日
2020-01-03
发明(设计)人
威廉·厄内斯特·爱德华兹
申请人
申请人地址
美国德克萨斯州
IPC主分类号
H01L2702
IPC分类号
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
纪雯
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
用于扩展电压操作的动态衬底偏置 [P]. 
威廉·厄内斯特·爱德华兹 .
美国专利 :CN110649013B ,2024-07-23
[2]
一种衬底偏置电路 [P]. 
赖练章 ;
马文鑫 .
中国专利 :CN216649654U ,2022-05-31
[3]
一种衬底偏置混频器 [P]. 
张晓林 ;
宋丹 ;
张展 ;
夏温博 .
中国专利 :CN101083450B ,2007-12-05
[4]
用于片上系统的衬底偏置控制电路 [P]. 
汲世安 ;
沈学聪 ;
李芷岩 ;
李云汉 .
中国专利 :CN102043415A ,2011-05-04
[5]
一种多电压区域衬底偏置结构 [P]. 
王锐 ;
姚家宁 ;
李建军 .
中国专利 :CN117352509A ,2024-01-05
[6]
一种多电压区域衬底偏置结构 [P]. 
王锐 ;
姚家宁 ;
李建军 .
中国专利 :CN117352509B ,2024-07-02
[7]
具有衬底偏置方案的半导体装置结构 [P]. 
安东尼·K·史塔佩尔 ;
M·J·阿布-哈利勒 ;
约翰·J·艾利斯-蒙纳翰 ;
兰迪·沃夫 ;
亚文·J·乔瑟夫 ;
阿龙·瓦莱特 .
中国专利 :CN114597261A ,2022-06-07
[8]
基于输入向量控制的衬底偏置技术面积优化算法 [P]. 
骆祖莹 ;
孙朝珊 ;
黄琨 .
中国专利 :CN102236723A ,2011-11-09
[9]
一种基于衬底偏置调控的亚阈值带隙基准电压源 [P]. 
王政 ;
赵琦伟 ;
谢倩 ;
李云昊 ;
庄哲瀚 .
中国专利 :CN111176361A ,2020-05-19
[10]
具有主动衬底偏置的双向开关 [P]. 
弗朗索瓦·赫伯特 .
中国专利 :CN114883320A ,2022-08-09