一种多电压区域衬底偏置结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311457121.4

申请日：

2023-11-03

公开(公告)号：

CN117352509A

公开(公告)日：

2024-01-05

发明(设计)人：

王锐姚家宁李建军

申请人：

广芯微电子(广州)股份有限公司

申请人地址：

510555 广东省广州市黄埔区（中新广州知识城）亿创街1号406房之227

IPC主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

G06F30/394

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

颜希文

法律状态：

公开

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-05	公开	公开
2024-07-02	授权	授权
2024-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/02申请日:20231103

共 50 条

[1]

一种多电压区域衬底偏置结构 [P].

王锐 ;

姚家宁 ;

李建军 .

中国专利 :CN117352509B ,2024-07-02

[2]

一种衬底偏置电路 [P].

赖练章 ;

马文鑫 .

中国专利 :CN216649654U ,2022-05-31

[3]

用于扩展电压操作的动态衬底偏置 [P].

威廉·厄内斯特·爱德华兹 .

美国专利 :CN110649013B ,2024-07-23

[4]

用于扩展电压操作的动态衬底偏置 [P].

威廉·厄内斯特·爱德华兹 .

中国专利 :CN110649013A ,2020-01-03

[5]

一种衬底偏置混频器 [P].

张晓林 ;

宋丹 ;

张展 ;

夏温博 .

中国专利 :CN101083450B ,2007-12-05

[6]

具有衬底偏置方案的半导体装置结构 [P].

安东尼·K·史塔佩尔 ;

M·J·阿布-哈利勒 ;

约翰·J·艾利斯-蒙纳翰 ;

兰迪·沃夫 ;

亚文·J·乔瑟夫 ;

阿龙·瓦莱特 .

中国专利 :CN114597261A ,2022-06-07

[7]

一种互补衬底偏置的多堆叠反相器电路 [P].

张艺蒙 ;

张一博 ;

张玉明 .

中国专利 :CN118316435A ,2024-07-09

[8]

一种基于衬底偏置调控的亚阈值带隙基准电压源 [P].

王政 ;

赵琦伟 ;

谢倩 ;

李云昊 ;

庄哲瀚 .

中国专利 :CN111176361A ,2020-05-19

[9]

一种基于衬底偏置的FVF双环路LDO电路 [P].

丁一 .

中国专利 :CN109739293B ,2019-05-10

[10]

一种消除衬底偏置效应的模拟开关控制电路 [P].

吕江萍 .

中国专利 :CN208849745U ,2019-05-10

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