一种高功率芯片封装散热结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911028688.3

申请日：

2019-10-29

公开(公告)号：

CN112736184B

公开(公告)日：

2021-04-30

发明(设计)人：

侯峰泽张国旗叶怀宇

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区学苑大道1088号南方科技大学台州楼一楼

IPC主分类号：

H01L3364

IPC分类号：

代理机构：

北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888

代理人：

彭随丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-15	授权	授权
2021-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/64 申请日:20191029
2021-04-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高功率芯片嵌入式封装散热结构及其制备方法 [P].

侯峰泽 ;

张国旗 ;

叶怀宇 .

中国专利 :CN112736071A ,2021-04-30

[2]

一种高功率芯片散热结构及其制备方法 [P].

焦斌斌 ;

余立航 ;

康玄武 ;

孔延梅 .

中国专利 :CN114256176A ,2022-03-29

[3]

一种高功率芯片散热结构及其制备方法 [P].

焦斌斌 ;

余立航 ;

孔延梅 ;

刘瑞文 ;

贾昆鹏 .

中国专利 :CN114256177A ,2022-03-29

[4]

一种高功率芯片散热结构及其制备方法 [P].

焦斌斌 ;

余立航 ;

孔延梅 ;

康玄武 ;

叶雨欣 ;

刘瑞文 ;

杜向斌 ;

贾昆鹏 ;

云世昌 .

中国专利 :CN114256178A ,2022-03-29

[5]

一种高功率芯片封装结构及封装方法 [P].

施凯杰 ;

许天 ;

周琼 .

中国专利 :CN120854285A ,2025-10-28

[6]

一种高功率芯片的高可靠高散热的封装装置及封装方法 [P].

赵瑞辕 ;

李知闲 .

中国专利 :CN121096936A ,2025-12-09

[7]

一种高功率芯片相变散热结构及制备方法 [P].

王禹森 ;

李昕昱 ;

朱嘉杰 ;

罗燕 ;

曹向荣 ;

陈凯 .

中国专利 :CN121011586A ,2025-11-25

[8]

一种高功率芯片的高可靠高散热的封装方法 [P].

张鹏 ;

耿雪其 ;

王贺贺 ;

王成迁 .

中国专利 :CN119230422B ,2025-04-01

[9]

一种高功率芯片的高可靠高散热的封装方法 [P].

张鹏 ;

耿雪其 ;

王贺贺 ;

王成迁 .

中国专利 :CN119230422A ,2024-12-31

[10]

功率芯片封装结构及其制备方法 [P].

丁晓春 ;

李宗怿 ;

倪洽凯 ;

刘籽余 ;

柳坤 .

中国专利 :CN114649223A ,2022-06-21

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