基于混合缩放规则的晶体管小信号可缩放模型建模方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011251681.0

申请日：

2020-11-11

公开(公告)号：

CN112257367A

公开(公告)日：

2021-01-22

发明(设计)人：

谷思雨

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

G06F303323

IPC分类号：

G06F303308 G06F3038

代理机构：

天津市三利专利商标代理有限公司 12107

代理人：

徐金生

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-22	公开	公开
2021-02-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 30/3323 申请日:20201111

共 50 条

[1]

一种基于HEMT器件的可缩放小信号模型的建模方法 [P].

吕红亮 ;

马俊 ;

汪绍伟 ;

严思璐 ;

张玉明 .

中国专利 :CN118607441A ,2024-09-06

[2]

双极晶体管的缩放 [P].

A.J.约瑟夫 ;

R.M.马拉迪 ;

J.A.斯林克曼 .

中国专利 :CN102428548A ,2012-04-25

[3]

双极晶体管的缩放 [P].

A.J.约瑟夫 ;

R.M.马拉迪 ;

J.A.斯林克曼 .

中国专利 :CN105975648B ,2016-09-28

[4]

可缩放电流感测晶体管 [P].

G.贝尔纳奇亚 ;

O.布兰克 ;

R.皮塔西 .

中国专利 :CN105720055A ,2016-06-29

[5]

一种晶体管小信号建模方法及装置 [P].

杨天应 ;

刘丽娟 ;

刘石头 .

中国专利 :CN113343619A ,2021-09-03

[6]

具有平面触点的超级可缩放垂直MOS晶体管 [P].

博胡米尔·洛耶克 .

中国专利 :CN101171690A ,2008-04-30

[7]

用于高度缩放的晶体管的接触件 [P].

卡洛斯·H·迪亚兹 ;

吴忠政 ;

张家豪 ;

王志豪 ;

让-皮埃尔·科林格 ;

林群雄 ;

连万益 ;

梁英强 .

中国专利 :CN105609543B ,2016-05-25

[8]

一种适用于太赫兹频段CMOS晶体管的可缩放模型 [P].

吴韵秋 ;

李珂颖 ;

刘辉华 ;

赵晨曦 ;

余益明 ;

张青风 ;

张净植 ;

康凯 .

中国专利 :CN121168371A ,2025-12-19

[9]

一种GaN HEMT晶体管小信号模型建模方法 [P].

张丽 ;

刘太君 ;

叶焱 ;

许高明 .

中国专利 :CN114330192A ,2022-04-12

[10]

一种基于窄脉冲小信号测量的晶体管建模方法 [P].

袁野 ;

仲正 ;

姚鸿 .

中国专利 :CN107194127A ,2017-09-22

← 1 2 3 4 5 →