用于高度缩放的晶体管的接触件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510796896.3

申请日：

2015-11-18

公开(公告)号：

CN105609543B

公开(公告)日：

2016-05-25

发明(设计)人：

卡洛斯·H·迪亚兹吴忠政张家豪王志豪让-皮埃尔·科林格林群雄连万益梁英强

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2966 H01L2978

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-25	公开	公开
2019-09-13	授权	授权
2016-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101666692651 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2015107968963 申请日:20151118

共 50 条

[1]

双极晶体管的缩放 [P].

A.J.约瑟夫 ;

R.M.马拉迪 ;

J.A.斯林克曼 .

中国专利 :CN102428548A ,2012-04-25

[2]

双极晶体管的缩放 [P].

A.J.约瑟夫 ;

R.M.马拉迪 ;

J.A.斯林克曼 .

中国专利 :CN105975648B ,2016-09-28

[3]

具有金属场板接触件的晶体管 [P].

席史·M·潘迪 ;

R·克里什纳萨米 ;

朱德尚·R·侯尔特 ;

陈忠锋 .

美国专利 :CN118016712A ,2024-05-10

[4]

用于SOI晶体管的对接本体接触 [P].

西蒙·爱德华·威拉德 .

中国专利 :CN109314132A ,2019-02-05

[5]

用于晶体管的自对准背侧接触集成 [P].

N·贾因 ;

S·穆克什 ;

D·S·格兰特 ;

P·罗伊乔杜里 ;

谢瑞龙 ;

崔起植 .

美国专利 :CN118749129A ,2024-10-08

[6]

具有交错的本体接触件与栅极接触件的晶体管结构 [P].

文卡塔·N·R·法努卡鲁 ;

S·M·尚克 .

美国专利 :CN118366989A ,2024-07-19

[7]

晶体管的制造方法及晶体管 [P].

何德彦 ;

李镇全 ;

刘立尧 .

中国专利 :CN110504217A ,2019-11-26

[8]

具有环绕接触的纳米片晶体管 [P].

J·弗鲁吉尔 ;

谢瑞龙 ;

程慷果 ;

朴灿鲁 .

中国专利 :CN114695350A ,2022-07-01

[9]

用于形成晶体管的方法 [P].

法蓝·努里 ;

洛里·D·华盛顿 ;

维克托·莫罗茨 .

中国专利 :CN100561689C ,2007-09-05

[10]

高度上延伸的晶体管、包含高度上延伸的晶体管的装置及形成包含高度上延伸的晶体管的装置的方法 [P].

S·E·西利士 ;

K·D·普拉尔 ;

D·V·N·拉马斯瓦米 ;

R·甘地 .

中国专利 :CN112913027A ,2021-06-04

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