用于SOI晶体管的对接本体接触

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680085521.9

申请日：

2016-06-29

公开(公告)号：

CN109314132A

公开(公告)日：

2019-02-05

发明(设计)人：

西蒙·爱德华·威拉德

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L29786

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

杨铁成;康建峰

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-29	授权	授权
2019-02-05	公开	公开
2019-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20160629

共 50 条

[1]

用于形成SOI体接触晶体管的方法和设备 [P].

苏里亚·维拉拉加万 ;

杜洋 ;

格伦·O·沃克曼 .

中国专利 :CN1890799A ,2007-01-03

[2]

SOI MOS晶体管 [P].

李莹 ;

毕津顺 ;

罗家俊 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN102683416B ,2012-09-19

[3]

SOI MOS晶体管 [P].

李莹 ;

毕津顺 ;

罗家俊 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN102683417A ,2012-09-19

[4]

SOI MOS晶体管 [P].

李莹 ;

毕津顺 ;

罗家俊 ;

韩郑生 .

中国专利 :CN102664189A ,2012-09-12

[5]

体晶体管和SOI晶体管的共同集成 [P].

J·J·法戈 ;

P·波伊文 ;

F·亚瑙德 .

中国专利 :CN109411483A ,2019-03-01

[6]

一种SOI体接触MOS晶体管 [P].

刘小年 ;

郑之伟 .

中国专利 :CN221727121U ,2024-09-17

[7]

SOI动态阈值晶体管 [P].

陈静 ;

吕凯 ;

罗杰馨 ;

柴展 ;

何伟伟 ;

黄建强 ;

王曦 .

中国专利 :CN104362174B ,2015-02-18

[8]

具有交错的本体接触件与栅极接触件的晶体管结构 [P].

文卡塔·N·R·法努卡鲁 ;

S·M·尚克 .

美国专利 :CN118366989A ,2024-07-19

[9]

用于高度缩放的晶体管的接触件 [P].

卡洛斯·H·迪亚兹 ;

吴忠政 ;

张家豪 ;

王志豪 ;

让-皮埃尔·科林格 ;

林群雄 ;

连万益 ;

梁英强 .

中国专利 :CN105609543B ,2016-05-25

[10]

薄本体开关晶体管 [P].

M·J·阿鲍-科哈利尔 ;

A·B·伯塔拉 ;

M·D·贾菲 ;

A·J·乔瑟夫 ;

J·A·斯林克曼 .

中国专利 :CN104253157A ,2014-12-31

← 1 2 3 4 5 →