用于形成SOI体接触晶体管的方法和设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480036861.X

申请日：

2004-11-12

公开(公告)号：

CN1890799A

公开(公告)日：

2007-01-03

发明(设计)人：

苏里亚·维拉拉加万杜洋格伦·O·沃克曼

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

H01L2184

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

黄启行;穆德骏

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-06-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-01-03	公开	公开
2007-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

体晶体管和SOI晶体管的共同集成 [P].

J·J·法戈 ;

P·波伊文 ;

F·亚瑙德 .

中国专利 :CN109411483A ,2019-03-01

[2]

晶体管和用于制作晶体管的方法 [P].

J·H·张 .

中国专利 :CN109461702A ,2019-03-12

[3]

同时制造SOI晶体管和体衬底上的晶体管的方法 [P].

F·朱利恩 .

中国专利 :CN109309098A ,2019-02-05

[4]

用于SOI晶体管的对接本体接触 [P].

西蒙·爱德华·威拉德 .

中国专利 :CN109314132A ,2019-02-05

[5]

晶体管及晶体管的形成方法 [P].

韩秋华 ;

隋运奇 .

中国专利 :CN103715088A ,2014-04-09

[6]

用于形成晶体管的方法 [P].

亨宁·斯林豪斯 ;

理查德·亨利·弗雷德 ;

理查德·约翰·威尔森 .

中国专利 :CN101106179B ,2008-01-16

[7]

晶体管和形成晶体管的方法 [P].

M·纳哈尔 ;

M·米奇 .

中国专利 :CN114175276A ,2022-03-11

[8]

晶体管和形成晶体管的方法 [P].

M·纳哈尔 ;

V·N·安东诺夫 ;

D·F·范 ;

A·莫巴尔利 .

中国专利 :CN114207834A ,2022-03-18

[9]

晶体管和形成晶体管的方法 [P].

M·纳哈尔 ;

V·N·安东诺夫 ;

D·F·范 ;

A·莫巴尔利 .

美国专利 :CN114207834B ,2025-04-08

[10]

晶体管和晶体管的形成方法 [P].

赵猛 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN103545200B ,2014-01-29

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