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一种忆阻耦合电容效应高性能忆阻器的制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110544500.1
申请日：
2021-05-19
公开(公告)号：
CN113314668B
公开(公告)日：
2021-08-27
发明(设计)人：
杨峰
任焕鑫
孙柏
赵勇
张勇
申请人：
申请人地址：
610031 四川省成都市金牛区二环路北一段111号
IPC主分类号：
H01L4500
IPC分类号：
代理机构：
成都信博专利代理有限责任公司 51200
代理人：
卓仲阳
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-08-27 | 公开 | 公开 |
| 2021-09-14 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20210519 |
| 2022-08-19 | 授权 | 授权 |