一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法

被引：0

申请号：

CN202111482401.1

申请日：

2021-12-06

公开(公告)号：

CN114517288A

公开(公告)日：

2022-05-20

发明(设计)人：

陈素春徐良余雅俊占俊杰孟秀清阳明益

申请人：

申请人地址：

321000 浙江省金华市婺城区秋滨街道南二环西路2688号3#厂房（自主申报）

IPC主分类号：

C23C1602

IPC分类号：

C23C1634 C23C1656 C23C16448 C23C16511 H01L2102

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

张晓玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/02 申请日:20211206
2022-05-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种泡沫金属‑石墨烯复合衬底上的光催化薄膜及制备方法 [P].

秦永泽 .

中国专利 :CN107649165A ,2018-02-02

[2]

石墨烯改性图形化金属衬底上的氮化镓基薄膜及制备方法 [P].

秦福文 ;

马春雨 ;

白亦真 ;

王德君 ;

林国强 .

中国专利 :CN107083535A ,2017-08-22

[3]

用于在衬底上形成钼薄膜的方法 [P].

T·H·鲍姆 ;

B·C·亨德里克斯 ;

P·S·H·陈 ;

R·小赖特 ;

J·韦肯纳 .

中国专利 :CN112889132A ,2021-06-01

[4]

在SiC衬底上形成的GaN基LED [P].

D·T·埃默森 ;

A·C·阿贝尔 ;

M·J·伯格曼 .

中国专利 :CN1505843B ,2004-06-16

[5]

在SiC衬底上形成的GaN基LED [P].

D·T·埃默森 ;

A·C·阿贝尔 ;

M·J·伯格曼 .

中国专利 :CN101834245A ,2010-09-15

[6]

一种在r面蓝宝石衬底上制备非极性GaN薄膜方法 [P].

邢艳辉 ;

韩军 .

中国专利 :CN103151247B ,2013-06-12

[7]

利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 [P].

沈文娟 ;

曾一平 ;

王启元 ;

王俊 .

中国专利 :CN100415932C ,2006-10-04

[8]

镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法 [P].

秦福文 ;

马春雨 ;

白亦真 ;

王德君 ;

林国强 .

中国专利 :CN107086175A ,2017-08-22

[9]

一种在导电SiC衬底上生长GaN外延材料的方法及器件 [P].

王晓亮 ;

李百泉 ;

冯春 ;

肖红领 ;

姜丽娟 ;

李天运 ;

邱爱芹 ;

介芳 .

中国专利 :CN110739207A ,2020-01-31

[10]

硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 [P].

单崇新 ;

范希武 ;

张吉英 ;

张振中 ;

王晓华 ;

吕有明 ;

刘益春 ;

申德振 .

中国专利 :CN1275336C ,2004-06-23

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