硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02144730.6

申请日：

2002-12-07

公开(公告)号：

CN1275336C

公开(公告)日：

2004-06-23

发明(设计)人：

单崇新范希武张吉英张振中王晓华吕有明刘益春申德振

申请人：

申请人地址：

130022吉林省长春市人民大街140号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2120 H01L21205

代理机构：

长春科宇专利代理有限责任公司

代理人：

李恩庆

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-06-23	公开	公开
2004-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-09-13	授权	授权
2009-02-04	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)

共 50 条

[1]

在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 [P].

刘祥林 ;

焦春美 ;

于英仪 ;

赵凤瑗 .

中国专利 :CN1779910A ,2006-05-31

[2]

利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 [P].

沈文娟 ;

曾一平 ;

王启元 ;

王俊 .

中国专利 :CN100415932C ,2006-10-04

[3]

II－VI族半导体器件 [P].

钱丰廉 ;

M·A·哈泽 ;

T·J·米勒 .

中国专利 :CN1150633C ,2000-03-15

[4]

一种柔性基底上II-VI族半导体薄膜的制备方法 [P].

王敏 ;

贾良鹏 ;

徐志勇 ;

杨金华 .

中国专利 :CN109003889A ,2018-12-14

[5]

在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法 [P].

沈文娟 ;

曾一平 ;

王启元 ;

王俊 .

中国专利 :CN1741258A ,2006-03-01

[6]

II-VI族膜衬底蚀孔结构及加工方法 [P].

范广涵 .

中国专利 :CN1045661A ,1990-09-26

[7]

掺氧II-VI族半导体材料、薄膜及其制备的太阳能电池 [P].

王伟明 ;

吴庄 ;

朱忻 ;

杨军 ;

李斌 .

中国专利 :CN101786608A ,2010-07-28

[8]

硅衬底上生长氮极性Ⅲ族氮化物半导体薄膜的制备方法 [P].

李成果 ;

尹雪兵 ;

曾巧玉 ;

葛晓明 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN112735943A ,2021-04-30

[9]

在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 [P].

崔军朋 ;

段垚 ;

王晓峰 ;

曾一平 .

中国专利 :CN101388346A ,2009-03-18

[10]

Si衬底上生长ZnO外延薄膜的方法 [P].

叶志镇 ;

潘新花 .

中国专利 :CN101748480A ,2010-06-23

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