硅衬底上生长氮极性Ⅲ族氮化物半导体薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011645368.5

申请日：

2020-12-31

公开(公告)号：

CN112735943A

公开(公告)日：

2021-04-30

发明(设计)人：

李成果尹雪兵曾巧玉葛晓明陈志涛

申请人：

申请人地址：

510651 广东省广州市天河区长兴路363号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L3332 H01L3300

代理机构：

北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400

代理人：

李彬彬;陈莉娥

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20201231
2021-04-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硅衬底上生长氮极性III族氮化物半导体层的方法 [P].

顾伟 .

中国专利 :CN109599329A ,2019-04-09

[2]

硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术 [P].

冯玉春 ;

郭宝平 ;

牛憨笨 ;

李忠辉 .

中国专利 :CN1725445A ,2006-01-25

[3]

Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P].

田边达也 ;

三浦广平 ;

木山诚 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN1969380A ,2007-05-23

[4]

在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 [P].

陆沅 ;

刘祥林 ;

陆大成 ;

王晓晖 ;

王占国 .

中国专利 :CN1652299A ,2005-08-10

[5]

对硅衬底上的III族氮化物的衬底击穿电压的改进 [P].

余俊磊 ;

姚福伟 ;

游承儒 ;

许竣为 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN103177960A ,2013-06-26

[6]

Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P].

田边达也 ;

木山诚 ;

三浦广平 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN1977367A ,2007-06-06

[7]

Ⅲ族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101250752A ,2008-08-27

[8]

ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101752240A ,2010-06-23

[9]

一种在硅衬底上外延生长III族氮化物半导体材料的方法 [P].

郝智彪 ;

胡健楠 ;

钮浪 ;

汪莱 ;

罗毅 .

中国专利 :CN103255389A ,2013-08-21

[10]

硅衬底Ⅲ族氮化物外延生长 [P].

冯玉春 ;

李冀 ;

郭宝平 ;

张建宝 ;

李忠辉 ;

李岩 ;

牛憨笨 .

中国专利 :CN1824849A ,2006-08-30

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