对硅衬底上的III族氮化物的衬底击穿电压的改进

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210477613.5

申请日：

2012-11-21

公开(公告)号：

CN103177960A

公开(公告)日：

2013-06-26

发明(设计)人：

余俊磊姚福伟游承儒许竣为黄敬源

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L29778

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-24	授权	授权
2013-06-26	公开	公开
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101497325508 IPC(主分类):H01L 21/335 专利申请号:2012104776135 申请日:20121121

共 50 条

[1]

硅衬底上的III族氮化物的衬底击穿电压改进方法 [P].

陈祈铭 ;

刘柏均 ;

林宏达 ;

张晋诚 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 ;

黃和涌 .

中国专利 :CN103066103A ,2013-04-24

[2]

硅衬底上生长氮极性Ⅲ族氮化物半导体薄膜的制备方法 [P].

李成果 ;

尹雪兵 ;

曾巧玉 ;

葛晓明 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN112735943A ,2021-04-30

[3]

一种硅衬底上的III族氮化物层 [P].

顾伟 .

中国专利 :CN109887997A ,2019-06-14

[4]

第III族氮化物衬底的制造方法及第 III 族氮化物衬底 [P].

北村寿朗 ;

柴田真佐知 ;

吉田丈洋 .

中国专利 :CN107978509A ,2018-05-01

[5]

III族氮化物衬底 [P].

王明月 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN204905260U ,2015-12-23

[6]

用于硅衬底上的III族氮化物的扩散阻挡层 [P].

陈祈铭 ;

邱汉钦 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 .

中国专利 :CN103545348A ,2014-01-29

[7]

Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P].

田边达也 ;

三浦广平 ;

木山诚 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN1969380A ,2007-05-23

[8]

生长于衬底上的III族氮化物层 [P].

N.F.加德纳 ;

W.K.戈伊茨 ;

M.J.格伦德曼恩 ;

M.B.麦劳林 ;

J.E.埃普勒 ;

M.D.坎拉斯 ;

F.M.斯特兰卡 .

中国专利 :CN103180971A ,2013-06-26

[9]

III族氮化物复合衬底 [P].

佐藤一成 ;

吉田浩章 ;

山本喜之 ;

八乡昭广 ;

松原秀树 .

中国专利 :CN102906857A ,2013-01-30

[10]

制造Ⅲ族氮化物衬底晶片的方法和Ⅲ族氮化物衬底晶片 [P].

石桥惠二 ;

入仓正登 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101504913A ,2009-08-12

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