一种在硅衬底上外延生长III族氮化物半导体材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310145404.5

申请日：

2013-04-24

公开(公告)号：

CN103255389A

公开(公告)日：

2013-08-21

发明(设计)人：

郝智彪胡健楠钮浪汪莱罗毅

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱

IPC主分类号：

C23C1634

IPC分类号：

C30B2518 H01L2120 H01L2102

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

王朋飞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-08-21	公开	公开
2013-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101520129179 IPC(主分类):C23C 16/34 专利申请号:2013101454045 申请日:20130424
2015-10-28	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722812848 IPC(主分类):C23C 16/34 专利申请号:2013101454045 申请公布日:20130821

共 50 条

[1]

硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术 [P].

冯玉春 ;

郭宝平 ;

牛憨笨 ;

李忠辉 .

中国专利 :CN1725445A ,2006-01-25

[2]

硅衬底Ⅲ族氮化物外延生长 [P].

冯玉春 ;

李冀 ;

郭宝平 ;

张建宝 ;

李忠辉 ;

李岩 ;

牛憨笨 .

中国专利 :CN1824849A ,2006-08-30

[3]

III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN102471931B ,2012-05-23

[4]

III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN102576787A ,2012-07-11

[5]

一种硅衬底上生长氮极性III族氮化物半导体层的方法 [P].

顾伟 .

中国专利 :CN109599329A ,2019-04-09

[6]

III族氮化物半导体元件、外延衬底及制作III族氮化物半导体元件的方法 [P].

盐谷阳平 ;

善积祐介 ;

京野孝史 ;

住友隆道 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102474075B ,2012-05-23

[7]

III族氮化物半导体光元件、外延衬底 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

京野孝史 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102474076B ,2012-05-23

[8]

在图案化衬底上的III族氮化物半导体器件 [P].

陈亮 ;

李浩 ;

郑浩宁 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113508467A ,2021-10-15

[9]

在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件 [P].

曹冰 ;

刘淼 ;

夏天 .

中国专利 :CN119685935A ,2025-03-25

[10]

在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件 [P].

曹冰 ;

刘淼 ;

夏天 .

中国专利 :CN119685935B ,2025-06-10

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