一种柔性基底上II-VI族半导体薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810851361.5

申请日：

2018-07-30

公开(公告)号：

CN109003889A

公开(公告)日：

2018-12-14

发明(设计)人：

王敏贾良鹏徐志勇杨金华

申请人：

申请人地址：

230009 安徽省合肥市屯溪路193号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112

代理人：

余成俊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-14	公开	公开
2021-09-17	授权	授权
2019-01-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180730

共 50 条

[1]

II－VI族半导体器件 [P].

钱丰廉 ;

M·A·哈泽 ;

T·J·米勒 .

中国专利 :CN1150633C ,2000-03-15

[2]

硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 [P].

单崇新 ;

范希武 ;

张吉英 ;

张振中 ;

王晓华 ;

吕有明 ;

刘益春 ;

申德振 .

中国专利 :CN1275336C ,2004-06-23

[3]

一种基于II-VI族半导体纳米带薄膜的光敏电阻及其制备方法 [P].

郑学军 ;

杨博 ;

陈义强 ;

周益春 ;

张彤 .

中国专利 :CN101447522A ,2009-06-03

[4]

一种聚苯胺与II-VI族半导体复合光电转换薄膜的制备方法 [P].

郭影 ;

徐冬梅 ;

关美玉 .

中国专利 :CN102931247A ,2013-02-13

[5]

一种一维II-VI族半导体核壳纳米结构的制备方法 [P].

代国章 ;

苟广洋 .

中国专利 :CN105883903A ,2016-08-24

[6]

一种II-VI族多元化合物半导体薄膜及其制备方法和应用 [P].

沈凯 .

中国专利 :CN120882143A ,2025-10-31

[7]

基于II-VI族半导体一维纳米结构的存储器的制备方法 [P].

李珂 ;

邵智斌 ;

王前 ;

裘欣 .

中国专利 :CN114613681A ,2022-06-10

[8]

基于II-VI族半导体一维纳米结构的存储器的制备方法 [P].

李珂 ;

邵智斌 ;

王前 ;

裘欣 .

中国专利 :CN114613681B ,2025-05-27

[9]

II-VI族半导体激光器及其制造方法 [P].

N·山田 .

中国专利 :CN1113355A ,1995-12-13

[10]

用于II-VI族半导体的新型湿蚀刻剂及方法 [P].

毛国平 ;

迈克尔·W·本奇 ;

裘再明 ;

孙晓光 .

中国专利 :CN102668044A ,2012-09-12

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