II-VI族半导体激光器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95100650.9

申请日：

1995-02-23

公开(公告)号：

CN1113355A

公开(公告)日：

1995-12-13

发明(设计)人：

N·山田

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01S318

IPC分类号：

H01S319

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

萧掬昌;马铁良

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1995-12-13	公开	公开
1998-06-17	专利申请的视为撤回	专利申请的视为撤回
1997-06-04	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

II－VI族半导体器件 [P].

钱丰廉 ;

M·A·哈泽 ;

T·J·米勒 .

中国专利 :CN1150633C ,2000-03-15

[2]

半导体激光器以及半导体激光器制造方法 [P].

中村直干 ;

河原弘幸 ;

松本启资 ;

铃木凉子 ;

平聪 .

日本专利 :CN118266139A ,2024-06-28

[3]

半导体激光器、半导体激光器制冷结构及其制造方法 [P].

潘华东 ;

靳嫣然 ;

周立 ;

王俊 ;

闵大勇 ;

廖新胜 .

中国专利 :CN111082310A ,2020-04-28

[4]

半导体激光器、半导体激光器装置以及半导体激光器的制造方法 [P].

前原宏昭 ;

平聪 ;

渊田步 ;

铃木凉子 ;

宫越亮辅 .

日本专利 :CN119213646A ,2024-12-27

[5]

半导体激光器、半导体激光器阵列以及半导体激光器的制造方法 [P].

外间洋平 ;

铃木洋介 .

中国专利 :CN112714986A ,2021-04-27

[6]

半导体激光器及其制造方法 [P].

松谷弘康 ;

佐藤圭 .

中国专利 :CN103227418B ,2013-07-31

[7]

半导体激光器及其制造方法 [P].

秋山知之 ;

菅原充 .

中国专利 :CN101743670B ,2010-06-16

[8]

半导体激光器及其制造方法 [P].

奥田哲朗 .

中国专利 :CN105576503A ,2016-05-11

[9]

半导体激光器及其制造方法 [P].

前田修 ;

增井勇志 ;

汐先政贵 ;

佐藤进 ;

荒木田孝博 .

中国专利 :CN101834408B ,2010-09-15

[10]

半导体激光器及其制造方法 [P].

竹川浩 .

中国专利 :CN1220313C ,2004-05-19

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