半导体激光器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880024944.5

申请日：

2008-06-09

公开(公告)号：

CN101743670B

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

秋山知之菅原充

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01S5343

IPC分类号：

H01S522

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

黄纶伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005251019 IPC(主分类):H01S 5/343 申请日:20080609 专利申请号:2008800249445
2012-07-18	授权	授权
2010-06-16	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体激光器以及半导体激光器制造方法 [P].

中村直干 ;

河原弘幸 ;

松本启资 ;

铃木凉子 ;

平聪 .

日本专利 :CN118266139A ,2024-06-28

[2]

半导体激光器、半导体激光器制冷结构及其制造方法 [P].

潘华东 ;

靳嫣然 ;

周立 ;

王俊 ;

闵大勇 ;

廖新胜 .

中国专利 :CN111082310A ,2020-04-28

[3]

半导体激光器、半导体激光器装置以及半导体激光器的制造方法 [P].

前原宏昭 ;

平聪 ;

渊田步 ;

铃木凉子 ;

宫越亮辅 .

日本专利 :CN119213646A ,2024-12-27

[4]

半导体激光器、半导体激光器阵列以及半导体激光器的制造方法 [P].

外间洋平 ;

铃木洋介 .

中国专利 :CN112714986A ,2021-04-27

[5]

半导体激光器及其制造方法 [P].

松谷弘康 ;

佐藤圭 .

中国专利 :CN103227418B ,2013-07-31

[6]

半导体激光器及其制造方法 [P].

奥田哲朗 .

中国专利 :CN105576503A ,2016-05-11

[7]

半导体激光器及其制造方法 [P].

前田修 ;

增井勇志 ;

汐先政贵 ;

佐藤进 ;

荒木田孝博 .

中国专利 :CN101834408B ,2010-09-15

[8]

半导体激光器及其制造方法 [P].

竹川浩 .

中国专利 :CN1220313C ,2004-05-19

[9]

半导体激光器及其制造方法 [P].

太田将之 ;

兼岩进治 ;

大岛昇 .

中国专利 :CN1487637A ,2004-04-07

[10]

半导体激光器及其制造方法 [P].

吉武春二 ;

寺田俊幸 ;

田中明 .

中国专利 :CN1467891A ,2004-01-14

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