一种聚苯胺与II-VI族半导体复合光电转换薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210407690.3

申请日：

2012-10-23

公开(公告)号：

CN102931247A

公开(公告)日：

2013-02-13

发明(设计)人：

郭影徐冬梅关美玉

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北三环东路15号北京化工大学

IPC主分类号：

H01L310256

IPC分类号：

代理机构：

北京同恒源知识产权代理有限公司 11275

代理人：

张水俤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-13	公开	公开
2013-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101415527208 IPC(主分类):H01L 31/0256 专利申请号:2012104076903 申请日:20121023
2016-12-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101691184476 IPC(主分类):H01L 31/0256 专利号:ZL2012104076903 申请日:20121023 授权公告日:20141224 终止日期:20151023
2014-12-24	授权	授权

共 50 条

[1]

一种柔性基底上II-VI族半导体薄膜的制备方法 [P].

王敏 ;

贾良鹏 ;

徐志勇 ;

杨金华 .

中国专利 :CN109003889A ,2018-12-14

[2]

一种基于II-VI族半导体纳米带薄膜的光敏电阻及其制备方法 [P].

郑学军 ;

杨博 ;

陈义强 ;

周益春 ;

张彤 .

中国专利 :CN101447522A ,2009-06-03

[3]

一种一维II-VI族半导体核壳纳米结构的制备方法 [P].

代国章 ;

苟广洋 .

中国专利 :CN105883903A ,2016-08-24

[4]

II-VI族半导体激光器及其制造方法 [P].

N·山田 .

中国专利 :CN1113355A ,1995-12-13

[5]

用于II-VI族半导体的新型湿蚀刻剂及方法 [P].

毛国平 ;

迈克尔·W·本奇 ;

裘再明 ;

孙晓光 .

中国专利 :CN102668044A ,2012-09-12

[6]

掺氧II-VI族半导体材料、薄膜及其制备的太阳能电池 [P].

王伟明 ;

吴庄 ;

朱忻 ;

杨军 ;

李斌 .

中国专利 :CN101786608A ,2010-07-28

[7]

一种金表面聚苯胺/磺化石墨烯复合薄膜的制备方法 [P].

李垚 ;

刘俊凯 ;

赵九蓬 .

中国专利 :CN103966594B ,2014-08-06

[8]

一种离子液体改性石墨烯/聚苯胺复合薄膜的制备方法 [P].

罗静 ;

陈宇泽 ;

马强 ;

刘晓亚 .

中国专利 :CN103665405A ,2014-03-26

[9]

硅衬底上生长II－VI族材料薄膜的方法 [P].

单崇新 ;

范希武 ;

张吉英 ;

张振中 ;

王晓华 ;

吕有明 ;

刘益春 ;

申德振 .

中国专利 :CN1275336C ,2004-06-23

[10]

一种基于层层自组装技术制备石墨烯/聚苯胺复合薄膜的方法 [P].

罗静 ;

马强 ;

陈宇泽 ;

朱正意 .

中国专利 :CN102786705A ,2012-11-21

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