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一种采用低掺杂硅衬底的压电压阻型电场传感器

被引：0
申请号：
CN202210043314.4
申请日：
2022-01-14
公开(公告)号：
CN114487546A
公开(公告)日：
2022-05-13
发明(设计)人：
李鹏 田兵 孙宏棣 樊小鹏 张佳明 王志明 尹旭 刘仲 胡军 何金良 欧阳勇
申请人：
申请人地址：
510700 广东省广州市黄埔区中新广州知识城亿创街1号406房之86
IPC主分类号：
G01R1900
IPC分类号：
代理机构：
成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217
代理人：
薛波
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-05-31 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 19/00 申请日:20220114
2022-05-13 公开 公开
共 50 条
[1]
一种硅衬底反置键合玻璃结构的压电压阻型电场传感器 [P]. 
李鹏 ;
田兵 ;
姚森敬 ;
王志明 ;
刘仲 ;
孙宏棣 ;
张佳明 ;
尹旭 ;
徐振恒 ;
骆柏锋 ;
林秉章 ;
吕前程 .
中国专利 :CN114487547A ,2022-05-13
[2]
一种优化电极引出结构的压电压阻耦合电场传感器 [P]. 
李鹏 ;
田兵 ;
骆柏锋 ;
张佳明 ;
王志明 ;
尹旭 ;
刘仲 ;
林力 ;
姚森敬 ;
谭则杰 ;
韦杰 ;
吕前程 ;
胡军 ;
何金良 ;
欧阳勇 .
中国专利 :CN114460380A ,2022-05-10
[3]
一种压电压阻型电场传感器性能测试系统及方法 [P]. 
李鹏 ;
田兵 ;
尹旭 ;
张佳明 ;
王志明 ;
刘仲 ;
吕前程 ;
骆柏锋 .
中国专利 :CN114441830A ,2022-05-06
[4]
一种硅衬底集成气体传感器 [P]. 
胡静 .
中国专利 :CN108195885A ,2018-06-22
[5]
一种硅压阻式压力传感器芯片 [P]. 
曹钢 ;
李凡亮 ;
刘胜 ;
付兴铭 .
中国专利 :CN203617298U ,2014-05-28
[6]
一种硅压阻式压力传感器芯片 [P]. 
曹钢 ;
李凡亮 ;
刘胜 ;
付兴铭 .
中国专利 :CN104425485B ,2015-03-18
[7]
一种压电-压阻耦合式电场传感器的敏感单元结构及应用 [P]. 
林启敬 ;
朱震 ;
孟庆之 ;
胡妍婕 ;
胡成博 ;
董祚宏 ;
王永帅 ;
仙丹 ;
姚坤 ;
杨萍 ;
蒋庄德 .
中国专利 :CN121027632A ,2025-11-28
[8]
新型非介入式全光纤互易型电压电场传感器 [P]. 
谭金权 ;
曾令强 ;
龙娅 ;
杨娅姣 .
中国专利 :CN110554229A ,2019-12-10
[9]
基于压电压阻式宽频高场强微型电场传感器的生产工艺 [P]. 
何金良 ;
胡军 ;
薛芬 ;
韩志飞 ;
刘洋 ;
王善祥 ;
庄池杰 ;
曾嵘 .
中国专利 :CN109342836A ,2019-02-15
[10]
一种压电驱动微型电场传感器 [P]. 
冯可 ;
肖蕾 ;
刘楠 ;
许斌 .
中国专利 :CN222774622U ,2025-04-18
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