一种硅衬底反置键合玻璃结构的压电压阻型电场传感器

被引：0

申请号：

CN202210043323.3

申请日：

2022-01-14

公开(公告)号：

CN114487547A

公开(公告)日：

2022-05-13

发明(设计)人：

李鹏田兵姚森敬王志明刘仲孙宏棣张佳明尹旭徐振恒骆柏锋林秉章吕前程

申请人：

申请人地址：

510700 广东省广州市黄埔区中新广州知识城亿创街1号406房之86

IPC主分类号：

G01R1900

IPC分类号：

代理机构：

成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217

代理人：

薛波

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-13	公开	公开
2022-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 19/00 申请日:20220114

共 50 条

[1]

一种采用低掺杂硅衬底的压电压阻型电场传感器 [P].

李鹏 ;

田兵 ;

孙宏棣 ;

樊小鹏 ;

张佳明 ;

王志明 ;

尹旭 ;

刘仲 ;

胡军 ;

何金良 ;

欧阳勇 .

中国专利 :CN114487546A ,2022-05-13

[2]

一种优化电极引出结构的压电压阻耦合电场传感器 [P].

李鹏 ;

田兵 ;

骆柏锋 ;

张佳明 ;

王志明 ;

尹旭 ;

刘仲 ;

林力 ;

姚森敬 ;

谭则杰 ;

韦杰 ;

吕前程 ;

胡军 ;

何金良 ;

欧阳勇 .

中国专利 :CN114460380A ,2022-05-10

[3]

一种压电压阻型电场传感器性能测试系统及方法 [P].

李鹏 ;

田兵 ;

尹旭 ;

张佳明 ;

王志明 ;

刘仲 ;

吕前程 ;

骆柏锋 .

中国专利 :CN114441830A ,2022-05-06

[4]

一种压电-压阻耦合式电场传感器的敏感单元结构及应用 [P].

林启敬 ;

朱震 ;

孟庆之 ;

胡妍婕 ;

胡成博 ;

董祚宏 ;

王永帅 ;

仙丹 ;

姚坤 ;

杨萍 ;

蒋庄德 .

中国专利 :CN121027632A ,2025-11-28

[5]

一种压电驱动微型电场传感器 [P].

冯可 ;

肖蕾 ;

刘楠 ;

许斌 .

中国专利 :CN222774622U ,2025-04-18

[6]

一种硅衬底集成气体传感器 [P].

胡静 .

中国专利 :CN108195885A ,2018-06-22

[7]

一种硅-硅键合的MEMS红外传感器封装结构 [P].

范黎明 .

中国专利 :CN222007320U ,2024-11-15

[8]

一种电场传感器的天线的设计方法和电场传感器 [P].

王婷婷 ;

罗兵 ;

贾磊 ;

陈喜鹏 ;

黎小林 .

中国专利 :CN114019257A ,2022-02-08

[9]

一种基于玻璃衬底的SPADs图像传感器及其制造方法 [P].

苗渊浩 ;

亨利·H·阿达姆松 .

中国专利 :CN118969810B ,2025-02-07

[10]

一种基于玻璃衬底的SPADs图像传感器及其制造方法 [P].

苗渊浩 ;

亨利·H·阿达姆松 .

中国专利 :CN118969810A ,2024-11-15

← 1 2 3 4 5 →