等离子体生成装置和半导体工艺设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011508629.9

申请日：

2020-12-18

公开(公告)号：

CN112738968A

公开(公告)日：

2021-04-30

发明(设计)人：

朱旭朱磊

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H05H146

IPC分类号：

H01J3732

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

彭瑞欣;魏艳新

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-30	公开	公开
2021-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H05H 1/46 申请日:20201218

共 50 条

[1]

半导体工艺设备和等离子体启辉方法 [P].

杨京 ;

钟晨玉 ;

韦刚 ;

陈星 .

中国专利 :CN112466732B ,2024-06-21

[2]

半导体工艺设备和等离子体启辉方法 [P].

杨京 ;

钟晨玉 ;

韦刚 ;

陈星 .

中国专利 :CN112466732A ,2021-03-09

[3]

等离子体生成装置、半导体工艺设备及晶圆处理方法 [P].

王一帆 ;

郑健飞 .

中国专利 :CN115206766B ,2025-10-10

[4]

等离子体调控装置及半导体工艺设备 [P].

范唯 ;

赵时琳 ;

李凯 ;

邱勇 ;

邓雅天 ;

宋蕾 ;

张峻赫 ;

卢雪妮 .

中国专利 :CN121171866A ,2025-12-19

[5]

用于产生等离子体的线圈装置及半导体工艺设备 [P].

许金基 ;

茅兴飞 .

中国专利 :CN115602406A ,2023-01-13

[6]

半导体工艺腔室、等离子体起辉方法和半导体工艺设备 [P].

涂天佑 .

中国专利 :CN121109970A ,2025-12-12

[7]

半导体工艺设备及其脉冲调节等离子体方法 [P].

赵时琳 .

中国专利 :CN119170473B ,2025-10-10

[8]

半导体工艺设备及其脉冲调节等离子体方法 [P].

赵时琳 .

中国专利 :CN119170473A ,2024-12-20

[9]

远端等离子体源底座以及半导体工艺设备 [P].

张晗 ;

杨艳 ;

郑旭东 ;

苏欣 .

中国专利 :CN120048717A ,2025-05-27

[10]

形成半导体结构的方法、等离子体发生装置及半导体工艺设备 [P].

杨光 ;

李佳阳 ;

马一鸣 ;

蒋中伟 ;

王京 .

中国专利 :CN117650047A ,2024-03-05

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